GB/T 4326-1984
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
Extrinsic semiconductor single crystals--Measurement of Hall mobility and Hall coefficient
GBT4326-1984, GB4326-1984
2006-11
GB/T 4326-1984 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 4326-1984
- 别名
- GBT4326-1984
GB4326-1984 - 发布
- 1984年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 4326-2006
- 当前最新
- GB/T 4326-2006
- 本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数，因此本标准也分别适用于这些参数的测量。
GB/T 4326-1984相似标准
推荐
刘新风等测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率
虽然c-BAs已被制备，但样品中广泛分布着不均匀的杂质与缺陷，对其迁移率的测量带来困难。一般可以通过霍尔效应，测定样品的载流子的迁移率，而电极的大小制约其空间分辨能力，并直接影响测试结果。2021年，利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22 cm2V-1s-1，与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。 ...
石墨烯晶界输运性质研究取得系列进展
这些多晶石墨烯单畴之间的晶界在微观结构上由一些扭曲的六元环以及非六元环（五元环、七元环和八元环）组成，石墨烯的载流子在通过这些缺陷时会引入额外的散射，从而造成电导率、迁移率的降低，制约了石墨烯在电子电路领域的应用。一般来说，人们通常采用两种办法来表征石墨烯晶界的输运特性，一种是利用微加工手段制作霍尔电极，另一种是基于扫描探针显微镜的方法。前者会对石墨烯表面引入污染，进而影响石墨烯的本征性质。...
霍尔传感器的原理特点和应用
霍尔效应应使用左手定则判断。 霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。 通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。 由于霍尔元件产生的电势差很小，故通常将霍尔元件与放大器电路、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上，称之为霍尔传感器。...
汽车传感器的基本特性
⒉霍尔元件 常用的霍尔材料锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）等。N型锗容易加工制造，霍尔系数、温度性能、线性度较好；P型硅的线性度最好，霍尔系数、温度性能同N型锗，但电子迁移率较低，带负载能力较差，通常不作单个霍尔元件。 ...