GB/T 14620-2013
薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片

Alumina ceramic substrates for thin film integrated circuits

GBT14620-2013, GB14620-2013


标准号
GB/T 14620-2013
别名
GBT14620-2013, GB14620-2013
发布
2013年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 14620-2013
 
 
引用标准
GB/T 14619-2013 GB/T 16534-2009 GB/T 1958 GB/T 2413 GB/T 2828.1 GB/T 2829 GB/T 5593 GB/T 5594.3 GB/T 5594.4 GB/T 5594.5 GB/T 5594.7 GB/T 5598 GB/T 6062 GB/T 6900 GB/T 9531.1 GJB 1201.1-1991 GJB 548B-2005
被代替标准
GB/T 14620-1993
适用范围
本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则标志、包装.运输和贮存。 本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片(以下简称“基片>的生产和采购,采用薄膜工艺的片式元件用氧化館陶瓷基片也可參照使用。

GB/T 14620-2013相似标准


推荐

半导体集成电路的厚膜电路和薄膜电路相关介绍

  从整个集成电路范畴讲,除半导体集成电路外,还有厚膜电路与薄膜电路。  ①厚膜电路。以陶瓷基片丝网印刷和烧结等工艺手段制备无源元件和互连导线,然后与晶体管、二极管和集成电路芯片以及分立电容等元件混合组装而成。  ②薄膜电路。有全膜和混合之分。所谓全膜电路,就是指构成一个完整电路所需的全部有源元件、无源元件和互连导体,皆用薄膜工艺在绝缘基片上制成。...

铂电阻材料的组成部分

常见的Pt100感温元件有陶瓷元件,玻璃元件,云母元件,它们是由铂丝分别绕在陶瓷骨架,玻璃骨架,云母骨架上再经过复杂的工艺加工而成。薄膜铂电阻:真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上,膜厚在2微米以内,玻璃烧结料把Ni(或Pd)引线固定,经激光调阻制成薄膜元件。...

一项陶瓷金属化过程中至关重要的工艺

摘要:氧化铝陶瓷因为其在高频环境下具备良好的电器性能,其接电损耗小,比体积电阻大,机械强度高,热膨胀系数小,造价成本低廉,是各类电器元件中重要的绝缘材料。但由于氧化铝陶瓷直接与金属焊接存在许多难以克服的困难,所以需要在其表面形成一层金属薄膜,即进行金属化。目前主要采用的工艺主要为在陶瓷表面烧结出一层金属薄膜来达到陶瓷金属化的目的。在陶瓷金属化领域之中,最广泛采用的为钼锰法。...

喜开理CKD传感器的种类

4.按其制造工艺   集成传感器是标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的,相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时,同样可将部分电路制造在此基板上。厚膜传感器是利用相应材料的浆料,涂覆在陶瓷基片上制成的,基片通常是Al2O3制成的,然后进行热处理,使厚膜成形。...


GB/T 14620-2013 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号