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Semiconductor láser
Semiconductor láser, Total: 56 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Semiconductor láser son: Equipo medico, Optoelectrónica. Equipo láser, Comunicaciones de fibra óptica., Química analítica, Pruebas ambientales, Dispositivos semiconductores, Óptica y medidas ópticas., Aplicaciones de la tecnología de la información..
Professional Standard - Medicine, Semiconductor láser
- YY 0845-2011 Equipo terapéutico láser. Equipo láser de diodo para terapia fotodinámica.
- YY 1289-2016 Equipo de terapia con láser Instrumento de fotocoagulación con láser de diodo oftálmico
国家药监局, Semiconductor láser
- YY/T 1751-2020 Equipo de tratamiento con láser instrumento de terapia de irradiación intranasal con láser semiconductor
Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor láser
British Standards Institution (BSI), Semiconductor láser
- BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- BS EN 61207-7:2014 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- BS EN 61207-7:2013 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- BS ISO 17915:2018 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Dispositivos semiconductores - Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Semiconductor láser
- KS C 6942-1999 Regla general de módulos de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
- KS C 6943-1999 Métodos de prueba de módulos láser para transmisión de fibra óptica.
Group Standards of the People's Republic of China, Semiconductor láser
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Semiconductor láser
- GB/T 31358-2015 Especificaciones generales para láseres semiconductores.
- GB/T 15167-1994 Especificaciones generales para fuentes de luz de láseres semiconductores.
- GB/T 31359-2015 Métodos de prueba de láseres semiconductores.
- GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
- GB/T 15649-1995 Especificación detallada en blanco para diodos láser semiconductores
- GB/T 29299-2012 Especificaciones generales del telémetro láser semiconductor.
Professional Standard - Electron, Semiconductor láser
- SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
- SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
- SJ 2749-1987 Método de medición para diodos láser semiconductores.
- SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
- SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
- SJ/T 11856.1-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 1: Chips láser semiconductores de tipo Fabry-Perot y de retroalimentación distribuida para fuentes de luz
- SJ 50033/101-1995 Especificación detallada para módulos de diodos láser semiconductores para el tipo GJ1325
- SJ 20957-2006 Especificaciones generales para conjuntos de diodos láser semiconductores de gran potencia
- SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
International Organization for Standardization (ISO), Semiconductor láser
- ISO/TS 17915:2013 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- ISO 17915:2018 Óptica y fotónica: método de medición de láseres semiconductores para detección.
International Electrotechnical Commission (IEC), Semiconductor láser
- IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
- IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- IEC 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
- IEC 61207-7:2013/COR1:2015 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables; Corrección 1
IET - Institution of Engineering and Technology, Semiconductor láser
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Semiconductor láser
- GJB 3519-1999 Especificación general para diodos láser semiconductores
工业和信息化部, Semiconductor láser
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor láser
- CNS 13805-1997 Método de medición de fotoluminiscencia de obleas semiconductoras optoelectrónicas
Professional Standard - Post and Telecommunication, Semiconductor láser
- YD/T 1687.1-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 1: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa refrigerado de 2,5 Gbit/s
- YD/T 1687.2-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 2: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa no refrigerado de 2,5 Gbit/s
- YD/T 701-1993 Método de prueba para el ensamblaje de diodos láser semiconductores.
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Semiconductor láser
- GB/T 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
Association Francaise de Normalisation, Semiconductor láser
- NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
- NF EN 61207-7:2014 Expresión del rendimiento del analizador de gases: Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
未注明发布机构, Semiconductor láser
- BS EN 61207-7:2013(2015) Expresión del rendimiento de los analizadores de gas Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables
German Institute for Standardization, Semiconductor láser
- DIN EN 61207-7:2015-07 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables (IEC 61207-7:2013); Versión alemana EN 61207-7:2013 / Nota: Aplica en conjunto con DIN EN 61207-1 (2011-04).
ES-UNE, Semiconductor láser
- UNE-EN 61207-7:2013 Expresión de prestaciones de analizadores de gases - Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables (Ratificada por AENOR en enero de 2014.)
- UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 Expresión de prestaciones de analizadores de gases - Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables (Ratificada por AENOR en septiembre de 2015.)
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Semiconductor láser
- EN 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor láser
- DB13/T 5120-2019 Especificaciones para la prueba de rendimiento de CC de chips láser semiconductores FP y DFB para comunicación óptica
American National Standards Institute （ANSI), Semiconductor láser
(U.S.) Telecommunications Industries Association , Semiconductor láser
- TIA-455-128-1996 Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
- TIA-455-128-1996(2014) Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores