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Orientación láser semiconductor
Orientación láser semiconductor, Total: 109 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Orientación láser semiconductor son: Equipo medico, Optoelectrónica. Equipo láser, Óptica y medidas ópticas., Comunicaciones de fibra óptica., Dispositivos semiconductores, Aplicaciones de la tecnología de la información., Materiales semiconductores, pruebas de metales, Química analítica, Pruebas ambientales, Vocabularios, Lámparas y equipos relacionados., Cerámica, Tratamiento superficial y revestimiento., Dispositivos de visualización electrónica..
British Standards Institution (BSI), Orientación láser semiconductor
- BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Dispositivos semiconductores - Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS ISO 17915:2018 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- BS EN 61207-7:2014 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- BS EN 61207-7:2013 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- BS EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: clasificaciones y características esenciales
- BS CECC 20000:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos: especificación genérica: dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido
- BS EN 120000:1996 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificaciones generales: dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido.
Group Standards of the People's Republic of China, Orientación láser semiconductor
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- GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
- GB/T 15649-1995 Especificación detallada en blanco para diodos láser semiconductores
- GB/T 29299-2012 Especificaciones generales del telémetro láser semiconductor.
- GB/T 1555-1997 Métodos de prueba para determinar la orientación de un monocristal semiconductor.
- GB/T 1555-2023 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor
- GB/T 1555-2009 Métodos de prueba para determinar la orientación de un monocristal semiconductor.
- GB/T 21548-2008 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
- GB/T 18904.2-2002 Dispositivos semiconductores-Parte 12-2: Dispositivos optoelectrónicos-Especificación detallada en blanco para módulos de diodos láser con pigtail para sistemas o subsistemas de fibra óptica
Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Orientación láser semiconductor
Professional Standard - Medicine, Orientación láser semiconductor
- YY 1289-2016 Equipo de terapia con láser Instrumento de fotocoagulación con láser de diodo oftálmico
- YY 0845-2011 Equipo terapéutico láser. Equipo láser de diodo para terapia fotodinámica.
International Electrotechnical Commission (IEC), Orientación láser semiconductor
- IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
- IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- IEC 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
- IEC 61207-7:2013/COR1:2015 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables; Corrección 1
- IEC 62007-1:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Clasificaciones y características esenciales.
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Orientación láser semiconductor
- KS C 6943-1999 Métodos de prueba de módulos láser para transmisión de fibra óptica.
- KS C 6942-1999 Regla general de módulos de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
- KS C IEC 62007-1:2003 ¿Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica? Parte 1: Clasificaciones y características esenciales
- KS L 1604-2017 Cerámica fina: Determinación de la difusividad térmica, la capacidad calorífica específica y la conductividad térmica de cerámicas monolíticas mediante el método de flash láser.
- KS L 1604-2017(2022) Cerámica fina: Determinación de la difusividad térmica, la capacidad calorífica específica y la conductividad térmica de cerámicas monolíticas mediante el método de flash láser.
- KS C IEC 62007-1-2003(2018) Dispositivos fotovoltaicos semiconductores para sistemas de comunicación óptica. Parte 1: Clases y características importantes.
IET - Institution of Engineering and Technology, Orientación láser semiconductor
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Orientación láser semiconductor
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American National Standards Institute （ANSI), Orientación láser semiconductor
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Orientación láser semiconductor
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Professional Standard - Electron, Orientación láser semiconductor
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- SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
- SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
- SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
- SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
- SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
- SJ 50033/101-1995 Especificación detallada para módulos de diodos láser semiconductores para el tipo GJ1325
- SJ/T 11856.1-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 1: Chips láser semiconductores de tipo Fabry-Perot y de retroalimentación distribuida para fuentes de luz
- SJ 20786.1-2002 Conjunto fotoeléctrico semiconductor Especificación detallada para localizador fotoeléctrico dúplex en miniatura para el tipo CBGS 2301
- SJ 20957-2006 Especificaciones generales para conjuntos de diodos láser semiconductores de gran potencia
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- SJ 2355.5-1983 Método de medición de la intensidad luminosa y del ángulo de semiintensidad de los dispositivos emisores de luz.
- SJ 2215.3-1982 Método de medición de la corriente directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
- SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
- SJ 2215.4-1982 Método de medición de corriente inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
- SJ 2215.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
- SJ 2355.3-1983 Método de medición de corriente inversa de dispositivos emisores de luz.
- SJ 2355.2-1983 Método de medición de la caída de tensión directa de dispositivos emisores de luz.
- SJ 2215.5-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
- SJ 2215.9-1982 Método de medición de la corriente de corte inversa de transistores fotoacopladores semiconductores.
- SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa
- SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
- SJ 2215.7-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa colector-emisor de fotoacopladores semiconductores (diodos)
- SJ 2658.8-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de radiancia normal
- SJ 2214.6-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa colector-emisor de fototransistores semiconductores
- SJ 2658.5-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de resistencia en serie directa
工业和信息化部, Orientación láser semiconductor
国家药监局, Orientación láser semiconductor
- YY/T 1751-2020 Equipo de tratamiento con láser instrumento de terapia de irradiación intranasal con láser semiconductor
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Orientación láser semiconductor
- GB/T 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
(U.S.) Telecommunications Industries Association , Orientación láser semiconductor
- TIA-455-128-1996 Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
- TIA-455-128-1996(2014) Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
Professional Standard - Post and Telecommunication, Orientación láser semiconductor
- YD/T 701-1993 Método de prueba para el ensamblaje de diodos láser semiconductores.
- YD/T 1687.1-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 1: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa refrigerado de 2,5 Gbit/s
- YD/T 1687.2-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 2: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa no refrigerado de 2,5 Gbit/s
- YD/T 2001.1-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
International Organization for Standardization (ISO), Orientación láser semiconductor
- ISO/TS 17915:2013 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- ISO 17915:2018 Óptica y fotónica: método de medición de láseres semiconductores para detección.
Association Francaise de Normalisation, Orientación láser semiconductor
- NF EN 60146-2:2002 Convertidores de semiconductores. Parte 2: convertidores de semiconductores autoconmutados, incluidos los convertidores de CC directos.
- NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
- NF EN 61207-7:2014 Expresión del rendimiento del analizador de gases: Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Orientación láser semiconductor
- GB/T 21548-2021 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Orientación láser semiconductor
- DB13/T 5120-2019 Especificaciones para la prueba de rendimiento de CC de chips láser semiconductores FP y DFB para comunicación óptica
RU-GOST R, Orientación láser semiconductor
- GOST R 59740-2021 Óptica y fotónica. Láseres semiconductores para la determinación de bajas concentraciones de sustancias. Métodos para medir características.
- GOST 18986.1-1973 Diodos semiconductores. Método para medir la corriente inversa directa.
- GOST 27299-1987 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Términos, definiciones y símbolos de letras de parámetros.
- GOST R 59605-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Términos y definiciones
- GOST 21934-1983 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Términos y definiciones
- GOST 17772-1988 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Métodos de medición de parámetros fotoeléctricos y determinación de características.
HU-MSZT, Orientación láser semiconductor
未注明发布机构, Orientación láser semiconductor
- BS EN 61207-7:2013(2015) Expresión del rendimiento de los analizadores de gas Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables
German Institute for Standardization, Orientación láser semiconductor
- DIN EN 61207-7:2015-07 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables (IEC 61207-7:2013); Versión alemana EN 61207-7:2013 / Nota: Aplica en conjunto con DIN EN 61207-1 (2011-04).
- DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
- DIN 50433-3:1982
- DIN 5032-9:2015-01 Fotometría - Parte 9: Medición de las cantidades fotométricas de fuentes de luz semiconductoras emisoras incoherentes
- DIN 5032-9:2015 Fotometría - Parte 9: Medición de las cantidades fotométricas de fuentes de luz semiconductoras emisoras incoherentes
- DIN EN 61207-7:2015 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables (IEC 61207-7:2013); Versión alemana EN 61207-7:2013
ES-UNE, Orientación láser semiconductor
- UNE-EN 61207-7:2013 Expresión de prestaciones de analizadores de gases - Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables (Ratificada por AENOR en enero de 2014.)
- UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 Expresión de prestaciones de analizadores de gases - Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables (Ratificada por AENOR en septiembre de 2015.)
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Orientación láser semiconductor
- EN 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
European Committee for Standardization (CEN), Orientación láser semiconductor
- CWA 17857:2022 Sistema adaptador basado en lentes para acoplar fibra óptica a láseres semiconductores infrarrojos
- PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
CZ-CSN, Orientación láser semiconductor
- CSN 35 8851-1987 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Nomenclatura, definición y símbolos de letras de parámetros.
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Orientación láser semiconductor
- JEDEC JESD77C-2009 Términos, definiciones y símbolos de letras para dispositivos optoelectrónicos y semiconductores discretos
- JEDEC JESD77D-2012 Términos, definiciones y símbolos de letras para dispositivos optoelectrónicos y semiconductores discretos
IN-BIS, Orientación láser semiconductor