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Dispositivos discretos semiconductores

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BS IEC 60747-7-5:2005 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Partes 7 - 5: Transistores bipolares para aplicaciones de conmutación de potencia.
BS IEC 60747-10:1991(2011) Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos Dispositivos semiconductores. Especificación genérica para dispositivos discretos y circuitos integrados.

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GJB 33B-2021 Especificación general para dispositivos semiconductores discretos
GJB/Z 10-1989 Espectro de tipo de serie de dispositivo discreto semiconductor
GJB 128B-2021 Métodos de prueba de dispositivos semiconductores discretos
GJB 923-1990 Especificación general para cajas de dispositivos semiconductores discretos
GJB 923A-2004 Especificaciones generales para paquetes de dispositivos semiconductores discretos.
GJB 923B-2021 Especificación general para gabinetes de dispositivos discretos semiconductores
GJB 3157-1998 Métodos y procedimientos de análisis de fallas de dispositivos semiconductores discretos.
GJB 1557A-2021 Dimensiones del diodo de microondas de dispositivo semiconductor discreto
GJB 1557-1992 Dimensiones del diodo de microondas de dispositivo semiconductor discreto
GJB 33/009-1989 Especificación detallada en blanco para tiristores de dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/007-1989 Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores para dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/005-1989 Especificación detallada en blanco para diodos de conmutación de dispositivos semiconductores discretos
GJB/Z 41.1-1993 Diodos de microondas de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB/Z 41.3-1993 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB/Z 55-1994 Guía de selección de dispositivos semiconductores discretos de componentes electrónicos aeroespaciales
GJB/Z 41.6-1993 Transistor bipolar de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB/Z 41.4-1993 Transistor de efecto de campo de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/11-1989 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Transistor de unión simple de silicio PN tipo BT37
GJB 33/1A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3716
GJB 33/004-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de conmutación de potencia de dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/2A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3767
GJB 33/10-1989 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Transistor de unión simple de silicio PN tipo BT33
GJB 33/3A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3442
GJB 33/9-1989 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Transistor de unión simple de silicio PN tipo BT32
GJB/Z 41.7-1993 Componentes de refrigeración termoeléctricos espectrales de la serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/008-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de conmutación de baja potencia para dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/001-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de alta frecuencia y baja potencia para dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/002-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de alta potencia y baja frecuencia para dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/13A-2021 Especificaciones detalladas del diodo de conmutación de alta corriente de silicio tipo dispositivo discreto semiconductor 2CK37
GJB 33A/13-2003 Especificaciones detalladas del diodo de conmutación de alta corriente de silicio tipo dispositivo discreto semiconductor 2CK37
GJB 33/5A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, pilas de rectificadores de alto voltaje de silicio 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K y 2CL150K
GJB 33A/12-2003 Dispositivo semiconductor discreto 2CK36 tipo diodo de conmutación de alta corriente de silicio especificaciones detalladas
GJB 33/12A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 2CK36 tipo diodo de conmutación de alta corriente de silicio especificaciones detalladas
GJB 33/8A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 3DK2369A tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio especificación detallada
GJB 33/6A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, transistores de silicio de baja potencia tipo 3CG2604 y 3CG2605 PNP
GJB 33/14A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 3DG44 tipo transistor de silicio de frecuencia ultraalta y bajo ruido especificación detallada
GJB 33A/14-2003 Dispositivo semiconductor discreto 3DG44 tipo transistor de silicio de frecuencia ultraalta y bajo ruido especificación detallada
GJB/Z 41.2-1993 Diodos de ajuste, conmutación y señal espectral de la serie de dispositivos discretos de semiconductores militares
GJB/Z 41.5-1993 Diodos rectificadores y tiristores de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/4A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, rectificadores de puente monofásicos de silicio tipo QL12300A, QL12300D y QL12300H
GJB 33/006-1989 Especificación detallada en blanco para regulación de voltaje y diodos de referencia de voltaje para dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/003-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única de menos de 5 W y de menos de 1 GHz para dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/6-1988 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT, transistores de silicio de baja potencia tipo 3CG2605 tipo PNP
GJB 33/7A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, transistores de conmutación de baja potencia de silicio PNP tipo 3CK2904, 3CK2905, 3CK2906 y 3CK2907
GJB 33/8-1988 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3DK2369A tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio
GJB 33/7-1988 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3CK2907 tipo PNP transistor de conmutación de baja potencia de silicio
GJB 33/2-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3767
GJB 33/1-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3716
GJB 33/3-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3442
GJB 33/5-1987 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para reactores rectificadores de alto voltaje de silicio GP y GT de grado 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K y 2CL150K
GJB 33/4-1987 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para rectificadores de puente monofásicos de silicio tipo GP, GT grados QL12300A, QL12300D y 13300H

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Dispositivos discretos semiconductores

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GB/T 7581-1987 Dimensiones de contornos para dispositivos semiconductores discretos.
GB/T 249-1989 La regla de designación de tipo para dispositivos semiconductores discretos.
GB/T 12560-1999 Dispositivos semiconductores Especificación seccional para dispositivos discretos
GB/T 4587-1994 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 7: transistores bipolares
GB/T 20516-2006 Dispositivos semiconductores. dispositivos discretos. Parte 4: Dispositivos de microondas
GB/T 4586-1994 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo
GB/T 4587-2023 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares
GB/T 15651.3-2003 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados Parte 5-3: Dispositivos optoelectrónicos Métodos de medición
GB/T 17573-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 1: Generalidades
GB/T 29332-2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
GB/T 4589.1-1989 ¡Dispositivos semiconductores!*Especificación genérica para dispositivos discretos y circuitos integrados
GB/T 15651.2-2003 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados Parte 5-2: Dispositivos optoelectrónicos Clasificaciones y características esenciales
GB/T 15651.2-2003/IEC 60747-5-2:1997 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 5-2: Clasificaciones y características básicas de los dispositivos optoelectrónicos.
GB/T 15651-1995 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 5: Dispositivos optoelectrónicos
GB/T 4023-2015 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos y circuitos integrados Parte 2: Diodos rectificadores
GB/T 4023-1997 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 2: diodos rectificadores
GB/T 6571-1995 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores

Professional Standard - Aerospace, Dispositivos discretos semiconductores

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QJ 787-1983 Condiciones técnicas de cribado de dispositivos semiconductores discretos.
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QJ 2502-1993 Especificaciones generales para dispositivos discretos semiconductores endurecidos por radiación.
QJ 10007/1-2008 Especificación detallada para transistores de conmutación de silicio tipo 3DK9 para dispositivos semiconductores discretos utilizados en el sector aeroespacial
QJ 10007/6-2008 Especificación detallada para el transistor de potencia de silicio tipo 3DD56 para dispositivos semiconductores discretos para el sector aeroespacial
QJ 10007/7-2008 Especificación detallada para transistores de potencia de silicio tipo 3DD57 para dispositivos semiconductores discretos para el sector aeroespacial
QJ 10007/8-2008 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio tipo 3DD159 para dispositivos semiconductores discretos para el sector aeroespacial
QJ 10007/3-2008 Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia de silicio tipo 3DK104 de dispositivos semiconductores discretos para el sector aeroespacial
QJ 10007/2-2008 Especificación detallada para diodos de referencia de voltaje de silicio tipo 2CWD8V4 para dispositivos semiconductores discretos utilizados en el sector aeroespacial
QJ 10007/4-2008 Especificación detallada para transistores de conmutación de silicio de potencia tipo 3DK457 (DK3767) para dispositivos semiconductores discretos para el sector aeroespacial
QJ 10007/10-2008 Especificación detallada de los transistores de silicio de alta frecuencia y baja potencia 3DG122, 3DG130 para dispositivos semiconductores discretos aeroespaciales
QJ 10007/5-2008 Especificación detallada de los transistores de silicio de alta frecuencia y baja potencia 3CG110, 3CG130 para dispositivos semiconductores discretos aeroespaciales
QJ 10007/11-2008 Especificación detallada para transistores de silicio de alta frecuencia, baja potencia y alto contravoltaje tipo 3DG182 para dispositivos semiconductores discretos utilizados en el sector aeroespacial
QJ 10007/9-2008 Especificación detallada de los transistores de silicio de alta frecuencia y baja potencia de tipo 3DG100, 3DG101, 3DG111, 3DG112 para dispositivos semiconductores discretos aeroespaciales

Professional Standard - Electron, Dispositivos discretos semiconductores

SJ/T 11089-1996 Símbolos de letras para componentes semiconductores discretos
SJ/T 10416-1993 Apecificación genérica de chip para dispositivos semiconductores discretos.
SJ/T 9533-1993 Norma de clasificación de calidad para dispositivos semiconductores discretos.
SJ 2849-1988 Dimensiones de construcción de partes del paquete de dispositivos semiconductores discretos.
SJ/T 10149-1991 Base gráfica de gráficos de componentes electrónicos de dispositivos semiconductores discretos.
SJ 20756-1999 Directrices para la aplicación de similitud estructural de dispositivos semiconductores discretos.
SJ/Z 9168-1995 Especificaciones genéricas para la determinación de dispositivos semiconductores discretos utilizados para VCR.
SJ 2850-1988 Especificaciones generales para base, tapa y estructura de conductores de dispositivos semiconductores discretos.
SJ 2854-1988 Dispositivos semiconductores discretos: especificación detallada para el marco de conductores de un paquete de plástico.
SJ 50033/164-2003 Dispositivo semiconductor discreto Especificación detallada del diodo PIN tipo PIN0002
SJ 50033/165-2003 Dispositivo semiconductor discreto Especificación detallada del diodo PIN tipo PIN0003
SJ 50033/147-2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para la lámpara indicadora de diodo emisor de luz tipo GF1121.
SJ 50033/71-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada de la serie tipo PIN 342 para diodo PIN
SJ 50033/72-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada de la serie tipo PIN 323 para diodo PIN
SJ 20310-1993 Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD101
SJ 20183-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD6
SJ 50033/36-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3CD050
SJ 50033/37-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD164.
SJ 50033/30-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia tipo 3DD155.
SJ 20233-1993 Reglamento de verificación del sistema de prueba de dispositivos discretos semiconductores modelo IMPACT-II
SJ 50033/70-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para la serie tipo PIN 35 para diodo PIN
SJ 2853-1988 Dispositivos semiconductores discretos: especificación detallada para base y tapa de rosca hexagonal
SJ 50033/69-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para la serie tipo PIN 30 para diodo PIN
SJ/T 11874-2022 Procedimientos de prueba de esfuerzo para dispositivos semiconductores discretos utilizados en vehículos eléctricos.
SJ 20066-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para la pila rectificadora de alto voltaje de silicio tipo 2CL3
SJ 20067-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo rectificador de silicio tipo 2CZ30
SJ 20069-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodo de conmutación de silicio para tipo 2CK76
SJ 20070-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodo de conmutación de silicio para tipo 2CK105
SJ 20071-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodo de conmutación de silicio para tipo 2CK4148
SJ 50033.45-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo rectificador de silicio tipo 2CZ58
SJ 50033.46-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo rectificador de silicio tipo 2CZ59
SJ 50033.47-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo rectificador de silicio tipo 2CZ117
SJ 50033.49-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos de recuperación escalonada para la serie 2CJ4220
SJ 50033.55-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo de conmutación de silicio tipo 2CK82
SJ 50033.56-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo de conmutación de silicio tipo 2CK85
SJ 50033/125-1997 Dispositivo discreto semiconductor Especificación detallada para diodos PIN de silicio para tipo PIN11￣15
SJ 2852-1988 Dispositivos semiconductores discretos: especificaciones detalladas para la base y la tapa de transistores de alta potencia.
SJ 2851-1988 Dispositivos semiconductores discretos: especificación detallada para la base y la tapa de transistores de baja potencia.
SJ 20274-1993 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para diodo de conmutación de silicio para tipo 2CK84
SJ 50033/15-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK306
SJ 50033/77-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de potencia de microondas de silicio tipo 3DA331.
SJ 50033/11-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK208
SJ 50033/12-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK209
SJ 20171-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK51
SJ 20178-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3CK38
SJ 50033/14-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK305
SJ 20170-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK37
SJ 50033/17-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK308
SJ 50033/59-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK39
SJ 50033/1-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia y alta frecuencia tipo 3DA150
SJ 50033/148-2000 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de conmutación de potencia tipo 3DK35B ~ F
SJ 20168-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK12
SJ 50033/10-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK207
SJ 50033/16-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK307
SJ 50033/8-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK12
SJ 50033/103-1996 Dispositivos semiconductores discretos: especificación detallada para el transistor de potencia de alta frecuencia tipo 3DA89
SJ 50033/163-2003 Dispositivo semiconductor discreto Especificación detallada del tipo 3DK457 para transistores de conmutación de potencia
SJ 20309-1993 Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK10
SJ 20172-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK38
SJ 50033/13-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK210
SJ 50033/24-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK310
SJ 50033/9-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK206
SJ 50033/108-1996 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos Gunn para tipo 2EY5671, 2EY5672
SJ 20169-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK36
SJ 50033/105-1996 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK404.
SJ 50033/104-1996 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK002.
SJ 50033/32-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK312
SJ 50033/60-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia tipo 3DK40
SJ 50033/23-1994 Dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para transistores de conmutación de potencia 3DK309
SJ 50033/153-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el diodo interruptor de microondas tipo 2CK141
SJ 20187-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos rectificadores de silicio para los tipos 2CZ5550 a 2CZ5554.
SJ 50033/100-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para diodos de recuperación escalonada tipo 2CJ60.
SJ 50033/152-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el diodo interruptor de microondas tipo 2CK140
SJ 20072-1992 Especificaciones detalladas para optoacopladores semiconductores tipo GH24, GH25 y GH26
SJ 50033/134-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3DD167.
SJ 50033/65-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3DD175
SJ 50033/63-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3CD020
SJ 50033/107-1996 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos Gunn para tipo 2EY621,2EY622,2EY623
SJ 50033/132-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3DD260.
SJ 20184-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para transistores de efecto de campo de los tipos CS3821,3822,3823
SJ 50033/66-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3DD880
SJ 50033/64-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3CD010
SJ 50033/131-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3DD157.
SJ 50033/130-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3DD159.
SJ 50033/74-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de potencia de microondas de silicio tipo 3DA325.
SJ 50033/91-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3CD030
SJ 50033/92-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3CD100
SJ 50033/129-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia tipo 3DD155.
SJ 50033/155-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de linealidad de microondas de silicio tipo 3DG252
SJ 20064-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el puente rectificador de onda completa monofásico de silicio tipo QL71
SJ 20065-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el puente rectificador trifásico de onda completa de silicio tipo QL72
SJ 50033.50-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el puente rectificador trifásico de onda completa de silicio tipo QL73
SJ 50033/73-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el puente rectificador monofásico de silicio tipo QL74
SJ 50033/22-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo varactor de sintonización de silicio para el tipo 2CC51E
SJ 50033/18-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodo rectificador de conmutación de silicio para tipo 2CZ73
SJ 50033/19-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodo rectificador de conmutación de silicio para tipo 2CZ74
SJ 50033.43-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo rectificador de conmutación de silicio tipo 2CZ104
SJ 50033.44-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo rectificador de conmutación de silicio tipo 2CZ105
SJ 50033.48-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo detector de microondas de silicio tipo 2DV8CP
SJ 50033/135-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el diodo rectificador de conmutación de silicio tipo 2CZ10
SJ 50033/20-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodo rectificador de silicio para tipo 2CZ101
SJ 50033/21-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodo rectificador-interruptor de silicio para tipo 2CZ75
SJ 50033/118-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el diodo de conmutación de GaAs tipo 2EK31
SJ 50033/123-1997 Dispositivo semiconductor discreto Especificación detallada para diodos PIN de potencia de silicona para tipo PIN62317
SJ 50033/28-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada de diodos mezcladores stripline para 2CV334,2CV3338
SJ 20188-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio para los tipos 2CWl3016～3051
SJ 50033/98-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para diodos de recuperación escalonada tipo 2CJ4211 y 2CJ4212.
SJ 50033/39-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo rectificador de conmutación de silicio tipo 2CZ106
SJ 20179-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para tiristor de bloqueo inverso para tipo 3CT103
SJ 20180-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para tiristor de bloqueo inverso para tipo 3CT105
SJ 20181-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para tiristor de bloqueo inverso para tipo 3CT107
SJ 50033/76-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de bajo ruido de microondas de silicio tipo 3DG218.
SJ 50033/61-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia y alto voltaje tipo 3DK6547
SJ 50033/62-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia y alto voltaje tipo 3DK406
SJ 50033/29-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el conjunto de conmutación de alta velocidad de GaAs para el tipo EK20
SJ 50033/25-1994 Dispositivo semiconductor discreto Especificación detallada para el diodo regulador de voltaje de silicio tipo 2CW1001～2CW1005
SJ 50033/150-2002 Dispositivo semiconductor discreto Especificación detallada para diodo regulador de voltaje de silicio para tipo 2DW230～236
SJ 20185-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para diodos de referencia de voltaje de silicio para los tipos 2DW232～236
SJ 50033/161-2002 Dispositivo semiconductor discreto Especificación detallada para diodo regulador de voltaje de silicio para tipo 2CW210～251
SJ 20186-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio para los tipos 2CW2970~3015
SJ 50033/117-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el diodo interruptor de corriente grande de silicio tipo 2CK38
SJ 50033/27-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos varactores de GaAs para la serie 2EC600
SJ 50033/26-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el diodo regulador de voltaje de silicio tipo 2CW1006 ~ 2CW1015
SJ 50033/124-1997 Dispositivo semiconductor discreto Especificación detallada para diodos PIN de potencia de silicio para tipo PIN 101 ~ 105
SJ 50033/115-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el diodo interruptor de corriente grande de silicio tipo 2CK28
SJ 50033/116-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el diodo interruptor de corriente grande de silicio tipo 2CK29
SJ 50033/170-2007 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA516
SJ 50033/171-2007 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA518
SJ 50033/172-2007 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA519
SJ 50033/173-2007 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA520
SJ 50033/176-2007 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA523
SJ 50033/159-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de bajo ruido UHF de silicio tipo 3DG142
SJ 50033/169-2004 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de polo de microondas de silicio tipo 3DA510
SJ 20308-1993 Especificación detallada para el transistor Darlington de potencia de silicio tipo FH1025 NPN
SJ 50033/168-2004 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA509
SJ 50033/166-2004 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA507
SJ 20059-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia del tipo 3DG111
SJ 20060-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia del tipo 3DG120
SJ 50033/90-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de baja potencia de silicio tipo 3DK106 NPN
SJ 50033/174-2007 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA521
SJ 50033/31-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor Darlington de potencia de silicio tipo FH 101 NPN
SJ 50033/82-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de baja potencia de silicio tipo 3DK100 NPN
SJ 50033/160-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de bajo ruido UHF de silicio tipo 3DG122
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SJ 50033/156-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA505
SJ 50033/158-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de bajo ruido UHF de silicio tipo 3DG44
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SJ 50033/157-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA506
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SJ 50033/4-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz roja para el tipo GF 111 de clases GP y GT.
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SJ 50033/79-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0536
SJ 20014-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja potencia para clases tipo 3CG110GP, GT y GCT
SJ 50033/120-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS205
SJ 20061-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio del tipo CS146
SJ 50033.51-1994 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de doble puerta de microondas GaAs tipo CS0558
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SJ 50033.54-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0532
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SJ 50033/94-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta frecuencia, bajo nivel de ruido y baja potencia de silicio tipo 3DG143 NPN
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SJ 50033/93-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta frecuencia, bajo nivel de ruido y baja potencia de silicio tipo 3DG142 NPN
SJ 50033/121-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para transistores de efecto de campo en modo de unión de canal N de silicio tipo CS3458 ～ CS3460
SJ 50033/80-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0513
SJ 50033/122-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para transistores de efecto de campo en modo de unión de canal N de silicio tipo CS3684 ～ CS3687
SJ 20173-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de silicio NPN de los tipos 3DK2218, 3DK2218A, 3DK2219 y 3DK2219A.
SJ 20062-1992 Dispositivo discrte semiconductor. Especificación detallada para el transistor de coincidencia de diferencia de bajo ruido y frecuencia ultraalta NPN de silicio del tipo 3DG210
SJ 50033/2-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de baja potencia de silicio PNP tipo 3CK2904, 3CK2904A, 3CK2905 y 3CK2905A
SJ 20182-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para tiristor de bloqueo inverso para los tipos 3CT682,683,685～692 y 3CT5206
SJ 50033/38-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para los tipos CS4856 ～ CS4861 transistor de efecto de campo de modo de reducción de canal N de silicio
SJ 50033.53-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0530 y CS0531
SJ 50033/84-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de reducción MOS de canal N de silicio tipo CS140
SJ 50033/86-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de reducción de canal P de silicio tipo CS5114 ～ CS5116
SJ 20176-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para transistores de silicio NPN de baja potencia y alto voltaje inverso de los tipos 3DG3439 y 3DG3440
SJ 50033/83-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora MOS de canal P de silicio tipo CS139
SJ 50033/87-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de reducción de canal N de silicio tipo CS4091 ～ CS4093
SJ 50033/85-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de reducción MOS de canal N de silicio tipo CS141
SJ 50033/106-1996 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de bajo ruido de microondas GaAs tipo CS203.
SJ 20063-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de coincidencia de doble diferencia de bajo ruido y frecuencia ultraalta NPN de silicio del tipo 3DG213
SJ 20015-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia para clases tipo 3DG130GP, GT y GCT
SJ 50033/89-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de silicio tipo CS 6768 y CS 6770
SJ 50033/88-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de silicio tipo CS6760 y CS6762
SJ 50033/144-1999 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el paquete de pasivación de vidrio tipos 2CW50~78 Diodos reguladores de voltaje de silicio
SJ 50033/149-2000 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio con paquete de pasivación de vidrio tipo 2CW100 ~ 121
SJ 20016-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de voltaje inverso alto y bajo consumo de silicio NPN para clases tipo 3DG182GP, GT y GCT
SJ/Z 9014.3-1987 Componentes semiconductores: componentes discretos y circuitos integrados Parte 6 Tiristores
SJ 20011-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de las clases CS1 GP, GT y GCT
SJ 20012-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de tipo CS4. Clases GP, GT y GCT
SJ 20013-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de tipo CS10. Clases GP, GT y GCT

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IEC 60747-7:1988 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados; parte 7: transistores bipolares
IEC 60747-6:1983 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 6: Tiristores
IEC 60747-4:2001 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Dispositivos de microondas
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-5-1:1997/AMD2:2002 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 5-1: Dispositivos optoelectrónicos; General; Enmienda 2
IEC 60747-5-1:2002 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 5-1: Dispositivos optoelectrónicos; General
IEC 60747-14-4:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 14-4: Acelerómetros semiconductores
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IEC 60747-7/AMD1:1991 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados; parte 7: transistores bipolares; enmienda 1
IEC 60747-11:1985 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 11: Especificación seccional para dispositivos discretos
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:1984 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo
IEC 60747-8:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-15:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
IEC 60747-9:2001 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
IEC 60747-5-1:1997/AMD1:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 5-1: Dispositivos optoelectrónicos; General; Enmienda 1
IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
IEC 60747-9:1998 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
IEC 60747-4:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
IEC 60747-2/AMD2:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos y circuitos integrados; parte 2: diodos rectificadores; enmienda 2
IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
IEC 60747-5-5:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores.
IEC 60747-5-2:1997/AMD1:2002 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 5-2: Dispositivos optoelectrónicos; Clasificaciones y características esenciales; Enmienda 2
IEC 60747-5:1992 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos y circuitos integrados; parte 5: dispositivos optoelectrónicos
IEC 60747-2:2000 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 2: Diodos rectificadores.
IEC 60747-1/AMD3:1996 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 1: Generalidades; Enmienda 3
IEC 60747-7-5:2005 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7-5: Transistores bipolares para aplicaciones de conmutación de potencia
IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.
IEC 60747-5-5:2007+AMD1:2013 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
IEC 60747-9/AMD1:2001 Dispositivos semiconductores. Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT); Enmienda 1
IEC 60747-4/AMD2:1999 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Dispositivos de microondas; Enmienda 2
IEC 60747-4/AMD1:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas; enmienda 1
IEC 60747-1/AMD1:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos y circuitos integrados; parte 1: generales; enmienda 1
IEC 60747-3:1985 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores.

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NF C96-015*NF EN 60747-15:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 15: dispositivos semiconductores de potencia aislados.
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NF EN 60747-15:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: dispositivos semiconductores aislados de potencia
NF C96-007:1989 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 7: transistores bipolares.
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NF C96-008:1985 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 8: transistores de efecto de campo.
NF C96-006:1984 Componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 6: tiristores.
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DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)
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JJG(电子) 310002-2006 Especificación para la verificación de probadores de parámetros de CC para dispositivos semiconductores discretos
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PL-PKN, Dispositivos discretos semiconductores

PN T01204-1990 Dispositivos semiconductores Especificación seccional para dispositivos discretos
PN T01204-A1-1990 Dispositivos semiconductores Especificación seccional para dispositivos discretos Enmienda 1
PN T01103-1992 Dispositivos semiconductores. Especificación genérica para dispositivos discretos y circuitos integrados.
PN T01203-1989 Przyrz?dy pó?przewodnikowe Przyrz?dy diskretne Diody sygna?owe (zw??czeniem diod prze??czaj?cych) i diodv stabilizuj?ce

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Dispositivos discretos semiconductores

KS C IEC 60747-1:2004 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos y circuitos integrados－Parte 1: General
KS C IEC 60747-5:2004 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 5:Dispositivos optoelectrónicos
KS C IEC 60747-6-2006(2016) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores
KS C IEC 60747-5:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5: Dispositivos optoelectrónicos.
KS C IEC 60747-7:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
KS C IEC 60747-11:2002 Dispositivos semiconductores discretos－Parte 11: Especificación seccional para dispositivos discretos
KS C IEC 60747-5-1:2004 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados－Parte 5－1：Dispositivos optoelectrónicos－General
KS C IEC 60747-8:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
KS C IEC 60747-5-3:2004 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 5－3：Dispositivos optoelectrónicos－Método de medición
KS C IEC 60747-11-2002(2022) Dispositivos semiconductores discretos－Parte 11: Especificación seccional para dispositivos discretos
KS C IEC 60747-11-2002(2017) Dispositivos semiconductores discretos－Parte 11: Especificación seccional para dispositivos discretos
KS C IEC 60747-4:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
KS C IEC 60747-4:2017 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
KS C IEC 60747-4:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
KS C IEC 60747-5-2:2004 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Parte 5 - 2: Dispositivos optoelectrónicos Clasificaciones y características esenciales
KS C IEC 60747-2:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos y circuitos integrados－Parte 2: Diodos rectificadores
KS C IEC 60747-2-2006(2016) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos y circuitos integrados－Parte 2: Diodos rectificadores
KS C IEC 60747-3-2016(2021) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores
KS C IEC 60747-3:2006 Dispositivos semiconductores-Dispositivos discretos-Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores
KS C IEC 60747-3:2016 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores
KS C IEC 60747-6:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Dispositivos discretos. Tiristores.

KR-KS, Dispositivos discretos semiconductores

KS C IEC 60747-5-2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5: Dispositivos optoelectrónicos.
KS C IEC 60747-7-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
KS C IEC 60747-7-2017 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
KS C IEC 60747-8-2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
KS C IEC 60747-4-2017 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
KS C IEC 60747-4-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
KS C IEC 60747-3-2016 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores
KS C IEC 60747-6-2021 Dispositivos semiconductores. Parte 6: Dispositivos discretos. Tiristores.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Dispositivos discretos semiconductores

EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Dispositivos discretos semiconductores

EN 60747-15:2004 Dispositivos semiconductores discretos Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
EN 60747-5-5:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores (Incorpora la Enmienda A1: 2015)

工业和信息化部, Dispositivos discretos semiconductores

SJ/T 1826-2016 Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DK100
SJ/T 1834-2016 Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DK104
SJ/T 1831-2016 Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo 3DK28 del dispositivo semiconductor discreto
SJ/T 1477-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG120 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificaciones detalladas
SJ/T 1839-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3DK108 tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio especificación detallada
SJ/T 1838-2016 Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo 3DK29 del dispositivo semiconductor discreto
SJ/T 1480-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG130 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificación detallada
SJ/T 1830-2016 Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo dispositivo discreto semiconductor 3DK101
SJ/T 1472-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG110 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificación detallada
SJ/T 1833-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3DK103 tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio especificación detallada
SJ/T 1832-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3DK102 tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio especificación detallada
SJ/T 1486-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG180 tipo silicio PNP alta frecuencia alto voltaje trasero transistor de baja potencia especificación detallada
SJ/T 9014.8.2-2018 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8-2: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de superunión

Danish Standards Foundation, Dispositivos discretos semiconductores

DS/IEC 747-5:1986 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 5: Servicios optoelectrónicos
DS/IEC 747-2:1985 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 2: diodos rectificadores
DS/IEC 747-11:1987 Dispositivos semiconductores. Parte 11: Especificación seccional para dispositivos discretos
DS/EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
DS/EN 60747-5-5:2011
DS/IEC 747-3+Amd.1:1993
DS/IEC 747-3:1986 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores

German Institute for Standardization, Dispositivos discretos semiconductores

DIN EN 60747-15:2012-08 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados (IEC 60747-15:2010); Versión alemana EN 60747-15:2012 / Nota: DIN EN 60747-15 (2004-08) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2014-01-20.
DIN IEC 60747-2:2001 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 2: Diodos rectificadores (IEC 60747-2:2000)
DIN IEC 60747-2:2001-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 2: Diodos rectificadores (IEC 60747-2:2000)
DIN IEC 60747-3:1992 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 3: diodos de señal y diodos reguladores; idéntico a IEC 60747-3:1985
DIN EN 60747-5-3:2003 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 5-3: Dispositivos optoelectrónicos; Métodos de medición (IEC 60747-5-3:1997 + A1:2002); Versión alemana EN 60747-5-3:2001 + A1:2002

ES-UNE, Dispositivos discretos semiconductores

UNE-EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores aislados de potencia (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)
UNE-EN 60747-5-5:2011/A1:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores (Ratificada por AENOR en mayo de 2015.)
UNE-EN 60747-5-5:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores (Ratificada por AENOR en mayo de 2011.)

Lithuanian Standards Office , Dispositivos discretos semiconductores

LST EN 60747-15-2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados (IEC 60747-15:2010).
LST EN 60747-5-5-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores (IEC 60747-5-5:2007)

Indonesia Standards, Dispositivos discretos semiconductores

SNI IEC 60747-2:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 2: Diodos rectificadores.

RU-GOST R, Dispositivos discretos semiconductores

GOST 29209-1991 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 2. Diodos rectificadores
GOST 29283-1992 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 5. Dispositivos optoelectrónicos

European Committee for Standardization (CEN), Dispositivos discretos semiconductores

EN 60747-5-1:2001