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シリコーンシリコン赤外線ピーク

シリコーンシリコン赤外線ピークは全部で 111 項標準に関連している。

シリコーンシリコン赤外線ピーク 国際標準分類において、これらの分類:長さと角度の測定、 絶縁流体、 金属材料試験、 半導体材料、 合金鉄、 空気の質、 金属鉱石、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 化学製品、 セラミックス、 ゴム、 医療機器、 非鉄金属、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 分析化学、 建材、 航空宇宙製造用の材料、 半導体ディスクリートデバイス。


Group Standards of the People's Republic of China, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • T/HIS 002-2022 シリコンベースの赤外線ガスセンサー
  • T/IAWBS 007-2018 4H 炭化珪素ホモエピタキシャル層厚さの赤外反射測定法
  • T/CSTM 00254-2020 パルス加熱不活性ガス溶融-赤外線吸収法によるポリカルボシラン分解物の酸素含有量の測定
  • T/SCDA 126-2023 外壁および内断熱システムへのHFヒュームドシリカ断熱材の適用に関する技術基準

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • GB/T 14143-1993 300~900μmシリコンウェーハギャップ中の酸素含有量の赤外吸収測定法
  • GB/T 1557-2006 シリコン結晶中の格子間酸素量の赤外吸収測定法
  • GB/T 42905-2023 赤外線反射法による炭化珪素エピタキシャル層厚さの検査
  • GB/T 35306-2023 低温フーリエ変換赤外分光法によるシリコン単結晶中の炭素と酸素の含有量の測定
  • GB/T 1558-2023 シリコン中の置換炭素量の赤外線吸収試験方法
  • GB/T 1558-1997 シリコン中の置換炭素原子含有量の赤外線吸収測定法
  • GB/T 1558-2009 シリコン中の置換炭素原子の含有量 赤外線吸収測定法
  • GB/T 14847-1993 高濃度ドープ基板上の低濃度ドープシリコンエピタキシャル層の厚さの赤外線反射測定方法
  • GB/T 14847-2010 高濃度ドープ基板上の低濃度ドープシリコンエピタキシャル層の厚さの赤外線反射測定方法
  • GB/T 4700.5-1998 カルシウムシリコン合金の化学分析方法 赤外線吸収法による炭素含有量の定量
  • GB/T 32573-2016 誘導炉燃焼後の赤外線吸収法によるシリコン粉末の全炭素量の測定
  • GB/T 4699.4-2008 フェロクロムおよびシリコンクロム合金 炭素含有量の測定 赤外線吸収および重量分析法
  • GB/T 14849.6-2014 工業用シリコンの化学分析法 第6回 赤外吸収法による炭素含有量の定量
  • GB/T 4699.6-2008 フェロクロムおよびシリコンクロム合金 硫黄分の定量 赤外線吸収法および燃焼中和滴定法
  • GB/T 4700.7-1998 カルシウムシリコン合金の硫黄含有量を求める化学分析法、赤外線吸収法および燃焼ヨウ素酸カリウム滴定法
  • GB/T 24581-2009 低温フーリエ変換赤外分光法によるシリコン単結晶中のIII族およびV族不純物の含有量の測定方法
  • GB/T 5686.7-2008 フェロマンガン、マンガン-ケイ素合金、窒化フェロマンガン、金属マンガン 硫黄分の定量 赤外線吸収法、燃焼中和滴定法
  • GB/T 5686.7-2022 赤外線吸収法及び燃焼中和滴定法によるフェロマンガン、マンガンケイ素合金、窒化フェロマンガン及び金属マンガン硫黄の含有量の測定
  • GB/T 5686.5-2008 フェロマンガン、マンガンケイ素合金、窒化フェロマンガン、金属マンガン 炭素含有量の測定 赤外線吸収法、ガス体積法、重量法、電量法
  • GB/T 5686.5-2023 赤外線吸収法、ガス体積法、重量法、電量法によるフェロマンガン、マンガンケイ素合金、窒化フェロマンガン、金属マンガンの炭素含有量の測定

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • GB/T 1557-2018 シリコン結晶中の格子間酸素量の赤外吸収測定法
  • GB/T 38976-2020 不活性ガス溶融赤外線法によるシリコン材料中の酸素含有量の測定
  • GB/T 4333.10-2019 赤外吸収法によるフェロシリコンと炭素の含有量の測定
  • GB/T 40561-2021 パルス加熱不活性ガス溶融赤外吸収法によるシリコン太陽電池材料中の酸素含有量の測定
  • GB/T 36691-2018 近赤外線法によるメチルビニルシリコーンゴムのビニル含有量の測定
  • GB/T 4333.7-2019 赤外吸収法およびクロマトグラフィー硫酸バリウム重量法によるフェロシリコンおよび硫黄含有量の測定
  • GB/T 24581-2022 低温フーリエ変換赤外分光法によるシリコン単結晶中のIII族およびV族不純物含有量の測定
  • GB/T 40566-2021 流動層法による顆粒中のケイ素水素含有量の測定 パルス加熱不活性ガス溶融赤外線吸収法

Professional Standard - Electron, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • SJ/T 11491-2015 短ベースライン赤外吸収分光法を使用したシリコン内の格子間酸素含有量の測定
  • SJ 20830-2002 プラチナシリコン赤外線焦点面検出器 デュワーアセンブリ 一般仕様
  • SJ/T 11552-2015 ブリュースター角入射 P 偏光赤外吸収分光法を使用したシリコン内の格子間酸素含有量の測定

工业和信息化部, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • YB/T 4738-2019 不活性ガス溶融赤外吸収法によるカルシウムシリコン合金の酸素含有量の測定
  • YB/T 4582.4-2017 赤外線吸収法による窒化ケイ素鉄中の硫黄含有量の測定
  • YB/T 4582.10-2017 赤外吸収法による強窒化ケイ素中の炭素含有量の測定
  • YB/T 5316-2016 高周波燃焼赤外線吸収法によるカルシウムシリコン合金の炭素量の定量
  • YS/T 1509.2-2021 ケイ素-炭素複合負極材料の化学分析法 その2:炭素含有量の定量 高周波加熱赤外線吸収法

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • YB/T 178.6-2008 赤外線吸収法によるシリコン・アルミニウム合金およびシリコン・バリウム・アルミニウム合金の炭素含有量の測定
  • YB/T 178.7-2008 赤外線吸収法によるシリコンアルミニウム合金およびシリコンバリウムアルミニウム合金中の硫黄含有量の測定
  • YB/T 109.6-2012 赤外線吸収法によるシリコンバリウム合金の炭素含有量の測定
  • YB/T 109.7-2012 赤外線吸収法によるシリコンバリウム合金中の硫黄含有量の測定
  • YB/T 178.6-2000 シリコン・アルミニウム合金およびシリコン・バリウム・アルミニウム合金の化学分析法 赤外線吸収法による炭素含有量の定量
  • YB/T 109.6-1997 シリコンバリウム合金の化学分析法 赤外吸収法による炭素含有量の定量
  • YB/T 109.7-1997 シリコンバリウム合金の化学分析法 赤外吸収法による硫黄分の定量
  • YB/T 5316-2006 カルシウムシリコン合金の化学分析方法 赤外線吸収法による炭素含有量の定量
  • YB/T 5317-2016 高周波燃焼赤外吸収法および燃焼ヨウ素酸カリウム滴定法によるカルシウムシリコン合金中の硫黄分の定量
  • YB/T 5317-2006 カルシウムシリコン合金の硫黄含有量を求める化学分析法、赤外線吸収法および燃焼ヨウ素酸カリウム滴定法

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • GJB 2052-1994 赤外線電荷結合素子用シリコンウェーハの仕様

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • GB/T 35306-2017 低温フーリエ変換赤外分光法によるシリコン単結晶中の炭素と酸素の含有量の測定

Yunnan Provincial Standard of the People's Republic of China, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • DB53/T 749-2016 工業用シリカ粉末の赤外線加熱法による含水率の測定

American Society for Testing and Materials (ASTM), シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • ASTM F1188-00 赤外線吸収によるシリコン中の格子間原子状酸素含有量の測定のための標準試験方法
  • ASTM D7948-20 赤外分光法による職場空気中の吸入性結晶質シリカの測定のための標準試験方法
  • ASTM D7948-14 赤外分光法による職場空気中の吸入性結晶質シリカの測定のための標準試験方法
  • ASTM D7948-14e1 赤外分光法による職場空気中の吸入性結晶質シリカの測定のための標準試験方法
  • ASTM C1842-16 フーリエ変換赤外分光法による六フッ化ウラン中のホウ素とケイ素の分析のための標準試験方法
  • ASTM F1619-95(2000) ブリュースター角で入射する p 偏光を使用した赤外吸収分光法によるシリコン ウェーハの格子間酸素含有量の測定のための標準的な試験方法

Xinjiang Provincial Standard of the People's Republic of China, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • DB65/T 3486-2013 ソーラーグレード多結晶シリコンブロックの赤外線探傷法

British Standards Institution (BSI), シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • BS ISO 19087:2018 職場の空気中の吸入可能な結晶性シリカのフーリエ変換赤外分光分析

Professional Standard - Non-ferrous Metal, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • YS/T 820.8-2012 ラテライトニッケル鉱石の化学分析方法 パート 8: シリカ含有量の測定 ケイフッ化カリウム滴定法
  • YS/T 514.7-2006 高チタンスラグ、ルチル化学分析法によるシリカ含有量の重量測定
  • YS/T 820.23-2012 ラテライトニッケル鉱石の化学分析方法 第 23 部:コバルト、鉄、ニッケル、リン、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、二酸化ケイ素、二酸化チタンの量の測定 波長分散 X 線蛍光分光分析
  • YS/T 514.4-2009 ハイチタンスラグとルチルの化学分析方法その4:シリカ含有量の測定重量測定法、モリブデンブルー分光光度法

Henan Provincial Standard of the People's Republic of China, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • DB41/T 1050-2015 フェロシリコンの化学分析法、赤外線吸収法、硫黄含有量の測定

Association Francaise de Normalisation, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • NF T77-156:1987 工業用アルカリ性シリコーンレジン 導入過酸化物の定量 赤外分光分析法
  • NF T77-162:1988 工業用塩基性シリコーン樹脂 フェニル/シリコン比、フェニル/メチル比の求め方 近赤外分光分析法
  • XP X43-243:2002 フーリエ変換赤外分光法 ロータリーカップ装置またはフィルターサンプリングを使用した職場内の浮遊結晶性シリカの測定
  • NF X43-243:2022 回転カップ装置またはフィルター膜によってサンプリングされた結晶質シリカのフーリエ変換赤外分光法による職場の空気線量の決定
  • NF T77-155:1987 工業用の基礎的なシリコーンプラスチック エチレン含有量の測定 (含有量 0.1% (m/m) 以上) 近赤外分光分析

International Organization for Standardization (ISO), シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • ISO 19087:2018 職場の空気 フーリエ変換赤外分光法による呼吸可能な結晶性シリカの分析。

German Institute for Standardization, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • DIN 50438-1:1995 半導体プロセス材料の検査 赤外吸収法によるシリコンの不純物含有量の測定 その1:酸素

RU-GOST R, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • GOST R ISO 19087-2021 フーリエ変換赤外分光法による吸入性結晶質シリカの職場空気分析

AENOR, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • UNE 81550:2017 赤外分光法による職場暴露空気中の結晶性遊離シリカ (呼吸可能画分) の測定

国家食品药品监督管理局, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • YY/T 1457-2016 受動的外科インプラント、シリコーンゲル充填乳房インプラント中のオリゴマーシロキサンの測定

Defense Logistics Agency, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • DLA SMD-5962-94642-1994 シリコンモノリシック、拡張多機能周辺機器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 シリコンモノリシックプログラマブル周辺インターフェース、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89971-1992 シリコンモノリシック、リモートユニバーサルペリフェラルインターフェイス、高性能金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化膜半導体 4重専用ANDゲート シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96816-1996 相補型金属酸化膜半導体、4連2入力専用ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体デジタル四重極2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 耐放射線相補型金属酸化物半導体四重極排他的ORゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体デジタル四重極2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイスデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジック設定、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、4連2入力専用ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体 UV プログラマブルロジックアレイ、デジタルメインメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91772-1993 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体、UV消去可能なロジックアレイ、デジタルメインメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93248-1993 シリコンモノリシック、電圧UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95783 REV B-2004 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体クワドルプル2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95814 REV A-1998 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体クワドルプル2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイスデジタルストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96538 REV C-2007 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体クワドルプル2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロサーキット
  • DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 シリコンモノリシック 8KX8 UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメインメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91584-1992 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ、相補型金属酸化物半導体、デジタル メイン メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 シリコンモノリシック UV ワイパブルプログラマブルロジックデバイス、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマスターメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック デバイス相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89476-1992 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック デバイス相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93245-1993 シリコンモノリシック、拡張電圧 UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 相補型金属酸化膜半導体、4連2入力専用ANDゲートトランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路

PL-PKN, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • PN Z04018-02-1991 空気純度の保護。 遊離結晶質シリコンの含有量の試験、赤外吸収分光法による作業場の総粉塵中の遊離結晶質シリコンの測定
  • PN Z04018-03-1991 空気純度の保護。 遊離結晶シリコンの含有量の検査、赤外吸収分光法による職場の吸入性粉塵中の遊離結晶シリコンの定量

Professional Standard - Commodity Inspection, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • SN/T 2413-2010 輸入および輸出された金属シリコン中の総炭素および硫黄含有量の測定 高周波燃焼赤外吸収分析法

国家质量监督检验检疫总局, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • SN/T 4758-2017 誘導結合プラズマ原子発光分析によるルチル中の酸化鉄、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム含有量の測定

(U.S.) Ford Automotive Standards, シリコーンシリコン赤外線ピーク

  • FORD WSL-M4G349-A-2014 シーラント、シリコーンゴム、UV/メトキシ硬化剤***Ford WSS-M99P1111-A 用***




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