ZH

EN

ES

полукарбонизированный

полукарбонизированный, Всего: 13 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к полукарбонизированный, являются: Неорганические химикаты, Полупроводниковые материалы, Испытание металлов, Проведение материалов, Измерение объема, массы, плотности, вязкости, Органические химикаты, Полупроводниковые приборы, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования.


RU-GOST R, полукарбонизированный

  • GOST 5535-1976 Карбюризатор полукокса. Технические характеристики

Professional Standard - Electron, полукарбонизированный

  • SJ/T 11864-2022 Полуизолирующая монокристаллическая подложка из карбида кремния

Group Standards of the People's Republic of China, полукарбонизированный

  • T/IAWBS 013-2019 Метод измерения удельного сопротивления полуизолирующей подложки из карбида кремния
  • T/ZZB 2283-2021 Порошок графита сверхвысокой чистоты для полупроводникового кристалла карбида кремния.
  • T/CASAS 009-2019 ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ МИКРОВЫХ ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛАХ SiC МЕТОДОМ ВТОРИЧНО-ИОННОЙ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ
  • T/ZJATA 0017-2023 Оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD) для получения полупроводниковых материалов из карбида кремния

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, полукарбонизированный

  • GB/T 42271-2022 Метод определения удельного сопротивления полуизолирующего монокристаллического карбида кремния бесконтактным измерением

American Society for Testing and Materials (ASTM), полукарбонизированный

  • ASTM UOP1025-18 ПЛОТНОСТЬ ВЯЗКИХ ЖИДКОСТЕЙ И ПОЛУТВЕРДЫХ УГЛЕВОДОРОДОВ ПО ВЫМЕЩЕНИЮ АЗОТА

British Standards Institution (BSI), полукарбонизированный

  • BS IEC 63229:2021 Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке карбида кремния
  • 18/30386543 DC BS EN 63229 Ред.1.0. Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальных пластин нитрида галлия на подложке карбида кремния
  • 19/30404655 DC BS EN IEC 63229. Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке карбида кремния

International Electrotechnical Commission (IEC), полукарбонизированный

  • IEC 63229:2021 Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке из карбида кремния.

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, полукарбонизированный

  • DB61/T 1250-2019 Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния)




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.