77.040 金属材料试验 标准查询与下载
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本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。 本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试,氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2022-10-14
- 实施
- 2023-02-01
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向方向0 °~8 °的碳化硅单晶位错密度的测试。
Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2022-10-14
- 实施
- 2023-05-01
本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。 本文件适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100μm 的洁净、干燥的硅片,包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片,也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。
Test method for warp and bow of silicon wafers—Automated non-contact scanning method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2022-03-09
- 实施
- 2022-10-01 00:00:00.0
本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。 本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为1.0×1010cm-3 ~4.1×1014cm-3 。
Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2022-03-09
- 实施
- 2022-10-01 00:00:00.0
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。 注1:碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计。 注2:碳化硅单晶中钒杂质含量的测定可参照本文件进行,测定范围为钒含量不小于1×1013 cm-3 。
Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2021-12-31
- 实施
- 2022-07-01 00:00:00.0
本文件规定了采用光学反射法测试硅片表面二氧化硅薄膜、多品硅薄膜厚度的方法。 本文件适用于测试硅片表面生长的二氧化硅浅膜和多唱硅薄膜的厚度,也适用于所有光滑的.透明或半透明的、低吸收系数的薄膜厚度的测试,如非晶硅、氮化硅、类金刚石镀膜、.光刻胶等表面薄膜。测试范围为15 nm一105 nm 。
Test method for thickness of films on silicon wafer surface—Optical reflection method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2021-08-20
- 实施
- 2022-03-01 00:00:00.0
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p 型硅单晶电阻率范围为7×10 Ω·cm~8×103 Ω·cm,n 型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~1.5×104 Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1×10-3 Ω·cm~1×-4 104 Ω·cm,样品长度与截面最大尺寸之比不小于3∶1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2021-05-21
- 实施
- 2021-12-01 00:00:00.0
本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3 ~8×1016 cm-3 ,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2021-05-21
- 实施
- 2021-12-01 00:00:00.0
本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。 本标准适用于硅单唱抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝.钾、钙.铬.锰.铁、钻、锦、铜、锌元素含量的测定,测定范围为 10 cm 一10 cm“。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形 硅片表面痕量金属元素含量的测定。 注: 硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。
Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2020-10-11
- 实施
- 2021-09-01 00:00:00.0
本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。 本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析，测定范围为不小于 5×1014cm-3。 注 ：氮化镓材料中的镁含量以每立方厘米中的原子数计。
Test method for magnesium content in gallium nitride materials—Secondary ion mass spectrometry
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2020-10-11
- 实施
- 2021-09-01 00:00:00.0
本标准规定了砷化锋单品位错密度的测试方法。本标准适用于4100和(111)面砷化锋单唱位错密度的测试,测试范围为0 cm 一100 000 cm“。
Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2020-09-29
- 实施
- 2021-08-01 00:00:00.0
本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。 本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试，测试范围为2.5×1 510 cm-3（0.05ppma）～2.5×1018cm-3（50ppma）。 注 ：硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。
Test method for the oxygen concentration in silicon materials—Inert gas fusion infrared detection method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2020-07-21
- 实施
- 2021-06-01 00:00:00.0
本标准规定了钞单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于(111》、 (100}和人1113)面钞单唱位错密度的测试 ,测试范围为0 cm “一100 000 cm “。
Test method for dislocation density of monocrystal germanium
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2020-06-02
- 实施
- 2021-05-01 00:00:00.0
Test method for chloride content of silicon—Ion chromatography method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2019-03-25
- 实施
- 2020-02-01 00:00:00.0
Test methods for conductivity type of extrinsic semiconducting materials
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2018-12-28
- 实施
- 2019-11-01 00:00:00.0
Test method for particles on polished silicon wafer surfaces
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2018-12-28
- 实施
- 2019-07-01 00:00:00.0
Methods for chemical analysis of germanium metal—Part 2：Determination of aluminium,iron,copper,nickle,lead,cadmium, magnesium,cobalt,indium,zinc content—Inductively coupled plasma mass spectrometry method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2018-12-28
- 实施
- 2019-11-01 00:00:00.0
Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2018-12-28
- 实施
- 2019-11-01 00:00:00.0
Test method for silicon brick dimension—Laser technology method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H21
- 发布
- 2018-12-28
- 实施
- 2019-11-01 00:00:00.0
Methods for chemical analysis of germanium metal—Part 1：Determination of arsenic content—Arsenic stain method
- ICS
- 77.040
- CCS
- H17
- 发布
- 2018-12-28
- 实施
- 2019-11-01 00:00:00.0
