C-V法利用PN结或肖特基势垒在反向偏压时的电容特性,可以获得材料中杂质浓度及其分布的 信息,这类测量称为C-V测量技术。这种测量可以提供材料截面均匀性及纵向杂质浓度分 布的信息,因此比四探针、三探针等具有更大的优点。虽然扩展电阻也能测量纵向分布 ,但它需将样品进行磨角。但是C-V法既可以测量同型低阻衬底上外延材料的分布,也可测量高阻衬底用异型层的外延材料的分布。 ...
不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰,在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法(FTIR)。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度,无论硅基还是化合物半导体,且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析,结合基础的物理自洽拟合模型,充分利用所测得的光谱特征,拟合计算给出准确的层厚厚度值。...
2、超晶格材料研究:可通过测量超晶格中的应变层的拉曼频移计算出应变层的应力,根据拉曼峰的对称性,知道晶格的完整性。 3、半导体材料研究:拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布,可测出半磁半导体的组分,外延层的质量,外延层混品的组分载流子浓度。 4、耐高温材料的相结构拉曼研究。 5、全碳分子的拉曼研究。 6、纳米材料的量子尺寸效应研究。...
(3)半导体材料研究:拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布,可测出半磁半导体的组分,外延层的质量,外延层混品的组分载流子浓度。(4)耐高温材料的相结构拉曼研究。(5)全碳分子的拉曼研究。(6)纳米材料的量子尺寸效应研究。...
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