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KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积红外器件介质膜
发布时间:2021-01-15 16:05
- 某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:......
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于复合磁控溅射沉积装置
发布时间:2021-01-14 16:30
- 某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP3......
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜
发布时间:2021-01-13 15:55
- 某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP ......
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 用于铝表面溅射沉积 ZrN 薄膜
发布时间:2021-01-12 15:44
- 河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP......
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
发布时间:2021-01-11 16:16
- 为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜. KRI 射频离子源 ......
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄
发布时间:2021-01-08 16:03
- 某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.Hakuto ......
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层
发布时间:2021-01-07 16:01
- 上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP3......
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KRI 考夫曼聚焦射频离子源 RFICP380 辅助制备原子探针样品
发布时间:2020-12-24 16:04
- 上海某大学研究中心采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 FRICP380 辅助制备三维原子探针样品, 主要是对三维原子探针样品进行蚀刻, 使样品变薄 伯东 KRI 射频离子源 RFICP38......
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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于制作闪耀罗兰光栅
发布时间:2020-12-23 16:07
- 长春某研究所在制作闪耀罗兰光栅的研究中采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE,制造出的闪耀罗兰光栅比其他工艺制造的光栅产品整体衍射效率高25%, 实现高衍射效率闪耀罗兰光栅制作, 且工艺可控、稳定, 所制作的闪耀罗兰光栅衍射效率高于......
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hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究
发布时间:2020-12-22 16:07
- 重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”ϕ Stage,&......
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