仪器简介：

应用：

-石墨烯 CVD
-硅纳米线生长
-碳纳米管 CVD
-SiC 外延生长

技术参数：

[ 石墨烯 Graphene CVD] 

卤素灯型加热源 
zei高温度： 1,000∩
石英管
极限压力 :  5*10-3Torr 
真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 
过程控制 : 手动控制(option - PC自动控制)


[碳纳米管CVD]

卤素灯型加热源
zei高温度：1,000∩
石英管                                                                                                                                                                        ICP 型等离子源
RF 功率: 1kW @13.56MHz, 自动匹配控制
MTR 型 loadlock chamber 
极限压力 :  5*10-3Torr 
真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 
过程控制 :  PC 自动控制


[ SiC 外延生长]

高频感应型加热源 
zei高温度： 2,400∩
石英管
Graphite susceptor
极限压力:  5*10-3Torr 
真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 
过程控制 : PC 自动控制

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途