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上海尔迪仪器科技有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | FilmTek 2000M TSV |
| 品牌： | 布鲁克 | 产地： | 德国 |
| 关注度： | 暂无 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 一般经销商 | 产地类别 | 进口 |
| 样品台尺寸 | 200 or 300 mm |
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Bruker 椭偏仪 FilmTek 2000M TSV
——用于半导体封装应用中高通量测量的先进计量系统
FilmTek™ 2000M TSV计量系统为先进的半导体封装应用提供了无与伦比的速度和精度组合。该系统为各种封装工艺和相关结构的高通量测量提供了一流的测量性能和精度，包括表征抗蚀剂厚度、硅通孔（TSV）、铜柱、凸块和再分布层（RDL）。
高产量TSV制造需要快速、高精度测量TSV蚀刻深度和深度均匀性。FilmTek 2000M TSV系统采用了我们光学方法，基于正入射反射法，使用户能够高效、准确地测量高深宽比TSV结构的蚀刻深度。该系统可以容易地确定直径大于1µm的通孔结构的蚀刻深度，最大蚀刻深度可达500µm。
此外，我们低功率物镜光学设计使FilmTek 2000M TSV能够实现非常小的光点尺寸-与目标通孔结构的直径相同数量级-具有几乎准直的测量光束。例如，该系统可以配置为，10倍物镜在y和x维度上的测量点尺寸分别为5µm乘10µm。这种光学设计限制了收集光的角光谱，并最大限度地提高了高纵横比TSV或沟槽结构的光谱反射的相干性。因此，与使用高功率物镜的计量仪器相比，该系统可以提供更清晰的数据。
其他功能包括测量微泵、沟槽和各种其他结构和应用的高度或深度、临界尺寸和膜厚度。
测量能力
允许确定：
·直径大于1µm的通孔结构的TSV蚀刻深度，最大蚀刻深度为500µm。
·高度或深度
·临界尺寸
·膜厚
系统组件
标准：
·高纵横比TSV结构的测量
·测量敢达500µm的TSV蚀刻深度
·测量直径小于1µm的TSV结构
·FilmTek技术
·快速测量时间（每点约1秒）
·单一工具中的TSV蚀刻深度、凸块高度、临界尺寸和膜厚计量
·盒式到盒式晶片处理
·Brooks或SCI自动化
·300mm，FOUP和SMIF兼容
·SECS/GEM
典型应用领域包括：
·TSV计量
·先进半导体封装
·具有灵活的软件，可以轻松修改以满足研发和生产环境中的独特客户需求。
技术规格
| 测量函数 | TSV蚀刻深度、凸块高度、临界尺寸和膜厚度 |
|---|---|
| 晶片处理 | Brooks or Bruker |
| 基板尺寸 | 200 or 300 mm |
| 模式识别 | Cognex |
| CD精度（1σ） | <0.2% |
| 蚀刻深度精度（1σ） | <0.005% |
| 膜厚范围 | 5 nm to 350 µm (5 nm to 150 µm is standard) |
| 膜厚精度（1σ) | <0.005% |
| 光源 | 卤素灯 |
| 探测器类型 | 2048 pixel Sony linear CCD array |
| Computer | 带Windows的多核处理器™ 10操作系统 |
| 晶圆吞吐量 | >60 WPH |
FilmTek 2000M TSV和SEM对通孔蚀刻深度的比较
| 通孔直径 (µm) | 蚀刻深度 (µm) 扫描电镜 | 蚀刻深度 (μm) FilmTek 2000M TSV |
|---|---|---|
| 5 | 44.5 | 44.3 |
| 10 | 55.5 | 55.5 |
| 15 | 62.0 | 61.8 |
| 20 | 66.5 | 66.8 |
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