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上海尔迪仪器科技有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | FilmTek 6000 PAR-SE |
| 品牌： | 布鲁克 | 产地： | 德国 |
| 关注度： | 1 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 一般经销商 | 产地类别 | 进口 |
| 光谱范围 | 190 nm - 1700 nm |
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Bruker椭偏仪 FilmTek 6000 PAR-SE
——用于IC器件开发和制造的先进多模薄膜计量学
想了解相关产品，可联系上海尔迪仪器科技有限公司，拨打电话021-61552797
FilmTek™ 6000标准杆数-SE先进的多模薄膜计量系统在1x nm设计节点和更高的位置为广泛的薄膜层提供生产验证的薄膜厚度、折射率和应力测量监测。该系统能够在新一代集成电路的生产过程中实现更严格的过程控制，提高器件产量，并支持下一代节点技术的开发。
制造1x nm的先进IC器件需要使用高度均匀的复合膜。能够监测非常薄的薄膜的计量工具，通常在多层膜堆叠中（例如，高k和氧化物-氮化物-氧化物膜），使制造商能够保持对膜构建过程的严格控制。此外，一些工艺，如多重图案化，会导致薄膜厚度的梯度，必须对其进行监控，以获得佳器件性能（例如，注入损伤和低k薄膜）。不幸的是，现有的计量工具依赖于传统的椭偏测量或反射测量技术，其检测这些应用的薄膜梯度变化的能力有限。
为了克服这些挑战，FilmTek 6000标准杆数-SE将光谱椭圆偏振仪和DUV多角度极化反射仪与宽光谱范围相结合，以满足与多图案和其他前沿器件制造技术相关的需求。该系统采用我们多角度差分偏振（MADP）和差分功率谱密度（DPSD）技术，可独立测量薄膜厚度和折射率，显著提高其对薄膜变化的灵敏度，尤其是多层堆叠中的变化。这种组合方法对于用于复杂器件结构的超薄和厚膜叠层都是理想的。
| 膜厚范围 | 0 Å to 150 µm |
|---|---|
| 膜厚精度 | ±1.0 Å for NIST traceable standard oxide 100 Å to 1 µm |
| 光谱范围 | 190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard) |
| 光斑尺寸的测量 | 50 µm |
| 样本量 | 2 mm - 300 mm (150 mm standard) |
| 光谱分辨率 | 0.3 nm - 2nm |
| 光源 | Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime) |
| 探测器类型 | 2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR) |
| Computer | Multi-core processor with Windows™ 10 Operating System |
| 测量时间 | ~2 sec per site (e.g., oxide film) |
| Film(s) | 厚 | 测量参数 | 精确 (1σ) |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅 | 0 - 1000 Å | t | 0.03 Å |
| 1000 - 500,000 Å | t | 0.005% | |
| 1000 Å | t , n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15,000 Å | t , n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 Å | t , n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 氮化物/硅 | 200 - 10,000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10,000 Å | t , n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光致抗蚀剂/硅 | 200 - 10,000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10,000 Å | t , n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅 / 氧化物/硅 | 200 - 10,000 Å | t Poly , t Oxide | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10,000 Å | t Poly , t Oxide | 0.2 Å / 0.0005 |
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
