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利用原子力显微镜对半导体制造中的缺陷进行检测与分类

发布时间: 2022-04-24 11:30 来源: Park帕克原子力显微镜
领域: 电子/电器/半导体,纳米材料
样品:半导体项目:表面测量

下载地址: 利用原子力显微镜对半导体制造中的缺陷进行检测与分类


利用原子力显微镜进行的自动缺陷复检通过纳米级的分辨率在三维空间中可视化 缺陷。因此,纳米级成像设备是制造过程的一个重要组成部分,它被视为当今半导体 行业中最理想的技术。  结合原子力显微镜的三维无创成像,使用自动缺陷复查对缺陷进行精确检测和准 确分类。

与时俱进的光刻工艺使得生产的半导体器件越来越微小化。器件尺寸一旦 减小,晶圆衬底上的纳米级缺陷就限制了器件的性能使用。 因此对于这些缺陷 的检测和分类需要具有纳米级分辨率的表征技术。由于可见光的衍射极限,传 统的自动光学检测(AOI)无法在该范围内达到足够的分辨率,进而损害定量成 像和随后的缺陷分类。 而原子力显微镜 (AFM) 自动缺陷复检 (ADR)技术则有 效地解决了该问题。该技术利用 AFM 常用的纳米分辨率,能够在三维空间中可 视化缺陷,大大减少了缺陷分类的不确定性。 因此,ADR-AFM 成为了当今半导 体行业缺陷复检最理想的技术。

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