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PECVD 等离子增强化学气相沉积
发布时间：
2022-07-25 18:07
来源：那诺-马斯特中国有限公司
| 领域： | 电子/电器/半导体 | ||
| 资料类型： | 其他资料 | ||
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PECVD 等离子增强化学气相沉积 |
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NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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