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快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)
生产商:韩国Ecopia
RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。
性能和特点:
- 温度范围:室温 ~ 1500°C;
- 升温速度:200°C/s;
- 气体混合能力(带有质量流量计);
- 真空度:~10-6Torr;
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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途
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