在 SEM 中, EDS 具有极致的空间分辨率和低能耗性能. 与传统的大面积 SDD 相比, 将极端电子和无窗结构与优化的几何形状和传感器设计相结合, 可提供高达15x 的更高的灵敏度。
锂 x 射线的检测与测绘
在小于2kV 的能量下工作, 在批量样品中提供低于10nm 的空间分辨率
在1kV 以下的材料特性
与浸入式光学器件相结合, 可在高达30kV 的情况下收集高灵敏度数据, 而不会产生任何影响
Ultim Extreme硅漂移检测器是超高分辨率 FEG-SEM 应用的突破性解决方案, 提供了传统微和纳米分析以外的解决方案。
Ultim Extreme是一个无窗口的 100 mm2 版本的 Ultim, 旨在zei大限度地提高灵敏度和空间分辨率。它使用激进的几何形状来优化超高分辨率 FEG-SEM 中的成像和 EDS 性能, 同时在低 kV 和较短的工作距离下工作。Ultim Extreme, EDS 分辨率接近 SEM 的分辨率。
Ultim Extreme超高分辨率 FEG-SEM 的突破性解决方案。这种独特的检测器首次使 EDS 数据收集以非常低的 kV (例如 1-3kV) 和非常短的工作距离来采集 EDS 数据,进行元素分析,在用户分析纳米级材料和表面时,在zei高 SEM 分辨率下进行元素分析。
zei新的超高分辨率 FEG-SEM 为研究较小的纳米结构、界面和表面提供了新的功能。然而, 在工作距离很短、非常低的千伏电压、波束电流zei小的条件下, 利用镜头内探测器的新电子信号对比, 没有电流的 EDS 能够提供支持元素特性。Ultim Extreme改变这一点, 它是专门设计在这个分析规则下:
独特的几何形状
设计用于在更短的工作距离内工作
传统端口安装EDS检测器的zei大实心角度设计--通常比 Ultim max 170 大5倍的实心角度, 传感器与样品的正常距离是正常距离的一半
Li元素X射线的检测和面扫
工作能量小于2kV,可在批量样品中提供低于10nm的空间分辨率
低于1kV电压的材料表征
结合浸入式光学系统,可在高达30kV的电压下收集高灵敏度数据,而且不会受到任何影响
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