技术特点
【技术特点】-- VGF法生长GaAs
产品名称： | VGF生长法 GaAs（进口料GaAs single crystal wafer, PRIME Grade） |
常规尺寸： | dia 2“ x 0.5mm;单抛
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技术参数： | 生长方法：VGF法GaAs晶向：<100> 2 degree OFF Toward <101>±0.5 deg产品尺寸：dia2“ x 0.5mm掺杂类型：N型掺Te载流子浓度：(0.15-2.6) E18 /cm^3迁移率:2700~3600 cm^2/V.S电阻率：9E-4~1.1E-2 ohm-cmEPD：<8000/cm^2
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
【技术特点对用户带来的好处】-- VGF法生长GaAs
【典型应用举例】-- VGF法生长GaAs
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