技术特点
【技术特点】-- 金刚石薄膜（高电阻DOI)
产品名称： | DOI（金刚石薄膜Diamond?on?Oxide） |
技术参数： | 基底尺寸：dia4“x0.5mm Si晶向：<100>±0.5° 绝缘层：SiO2 薄膜厚度：2um 氧化层：1um 电阻率：10E3 ~ 10E4 ohm-cm
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒 |
【技术特点对用户带来的好处】-- 金刚石薄膜（高电阻DOI)
【典型应用举例】-- 金刚石薄膜（高电阻DOI)
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