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等离子刻蚀ICP

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Trion半导体专用检测仪器设备, 可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck),以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器,及在基片背面保持一个氦冷却层,从而达到控制基片温度的作用。

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