日立200kV球差校正透射电镜HF5000

主要规格

机体尺寸/重量

安装条件

购买之前，请设置预定安装处测量振动、磁场和噪声，如果超过容许值，请务必另行咨询。
关于容许值，请另行咨询。

• 备注

• *1：选项。*2：Windows是在美国以及其他国家的注册的美国Microsoft Corp.商标。*3：规格、尺寸均根据厂家、型号和配置的不同而会有所不同。

参考招标参数:

中国科学院2018年仪器设备部门集中采购项目（第一批）OITC-G180260376-2

上海硅酸盐研究所聚光镜球差校正透射电镜标书

1.工作条件

1.1电源电压：AC220V（10%），50Hz单相

AC380V（10%），50Hz三相

1.2工作环境温度：15C-23C

1.3环境相对湿度：40- 60%

1.4仪器运行的持久性：连续使用

2. 设备用途

2.1 原子分辨扫描透射（STEM）模式成像

2.2 原子分辨EDS和EELS元素分析

3. 技术规格

3.1 主机

3.1.1 一台装有聚光镜球差校正器的具有原子级别分辨率的200kV或300kV场发射透射电镜，多个探测器（detector）和功能（TEM: BF、DF、HREM、SAED/NBD/CBED；STEM: BF、ABF、ADF、HAADF）

3.1.2 配备有高空间和能量分辨率、高效率的EDS能谱仪

3.1.3 配备有高空间分辨率、高灵敏度的二次电子或背散射探头

3.1.4 高性能底插相机，具有原位成像功能

3.1.5 电子能量损失谱仪GIF/EELS，具有采集能量过滤像（EFTEM）的功能，具有DualEELS功能。

3.1.6 可引入气氛的环境透射电镜系统及原位样品杆

3.1.7 独立冷凝水循环系统

3.2 电子枪，加速电压和探测电流

3.2.1 冷场发射电子枪或者与单色器配合的肖特基场（热场）发射电子枪

3.2.2 加速电压稳定度： 1.0 ppm/min (peak to peak) 或者  1.5 ppm/10 min；含UPS电源

3.2.3 电子枪亮度：冷场 8108A/cm2/sr，热场 7107A/m2/sr；电子枪束流：>1.2nA@0.3nm

#3.2.4 电子束能量色散度：<0.5eV 

3.2.5 加速电压60-200kV或60-300kV间可调，提供两个加速电压下的光路和球差校正预合轴

3.3 聚光镜、物镜和电子照明系统

#3.3.1 聚光镜球差校正器，校正后，Cs 10m；球差校正自动进行

3.3.2 物镜球差系数：1.5mm，电流稳定度： 1.0 ppm/min

3.3.3 电子束斑漂移：1nm/min

3.3.4 会聚束zei大会聚角：20mrad@200kV，100mrad@300kV

#3.3.5 聚光镜和物镜有恒定功率设计

3.4分辨率

3.4.1 TEM点分辨率：≤ 0.23nm. 信息分辨率：≤ 0.13nm

*3.4.2 STEM暗场分辨率：≤0.06nm@300kV或≤0.083nm@200kV；≤0.204nm@60kV

3.5 真空系统

3.5.1 电子枪真空：肖特基枪<110-6Pa，冷场发射枪<110-8Pa 

3.5.2 样品室真空：510-5Pa（无液氮冷却时）

3.5.3 无油真空系统由机械泵、涡轮分子泵和离子泵构成

*3.5.4差分泵抽真空系统，样品室基本真空度≤5.0 10-5 Pa。样品室可直接容纳气体不影响电镜使用，zei高气压1Pa 

3.6 放大倍率和电子衍射

3.6.1 TEM模式下放大倍率不小于×100 - ×1,500,000范围，电子衍射相机长度不小于0.1-1.5m范围

3.6.2 STEM模式下放大倍率不小于×300 - ×8,000,000范围

3.6.3 电子衍射包括SAED、NBD和CBED三种模式

3.6.4 样品上zei小选区直径200 nm；zei小物镜光栏满足套取单一衍射斑以实现暗场像成像

3.7 样品台和样品杆

3.7.1 配备至少3根样品杆，包括一根标准单倾样品杆、一根标准双倾样品杆和一根用于EDS分析的低背底双倾样品杆（铍制样品杯）

3.7.2 样品的移动范围：X,Y方向 1mm，Z方向0.375mm 

3.7.3 样品漂移：≤ 1 nm/min

3.7.4 样品倾斜角度(双倾样品杆)：沿X轴 ≥ ± 25°，沿Y轴 ≥ ± 30°

#3.7.5气体可通过配备的气体-加热样品杆被导入样品区，样品加热温度zei高1500oC，样品区局部zei大气压10 Pa

3.8 STEM/HAADF等探测系统

3.8.1 包含STEM模式下的至少BF、ABF和HAADF三种成像模式，各探头收集角单独可调

#3.8.2背散射或二次电子探头，可用于对样品表面及近表面（小于10 nm深度）的结构进行原子分辨率SEM成像，可与其他STEM探测器以及EDS/EELS探测器联用

3.9 EDS能谱

3.9.1 无窗设计硅漂移（SDD）探头，双探头或四探头，均电制冷

3.9.2 探测器的总有效面积：不低于120 mm2；接收固体角：>0.7sr

3.9.3 能量分辨率：≤ 133 eV（Mn K）；56 eV（C K）

3.9.4 检测元素范围不小于Be（Z=4）至U（Z=92）

3.9.5 提供专用的计算机及显示器

3.9.6 操作及数据处理模式：配备用于点线面分析的定性、定量数据处理软件，具有谱峰剥离功能，可以与STEM配合进行漂移校正

3.10 相机

3.10.1配备底部安装的超快速CMOS相机，帕尔贴半导体制冷

3.10.2传感器尺寸：4096  4096像素，15微米像素尺寸

3.10.3动态范围：16-bit 

3.10.4全像素zei大采集速度: 25帧/秒，zei高读出速度：300fps@512512 pixels

3.10.5可进行实时样品漂移矫正，具有原位记录和原位“回看功能”，并且可采用原位数据处理工具包进行数据处理

3.10.6配备专用电脑，RAM>=256G；SSD硬盘>=1.2 Tb

3.10.7包含4D-STEM电子衍射图案记录及分析功能，同时给出2D图像和2D每个pixel的衍射花样

3.11 EELS和能量过滤系统

3.11.1型号配置不低于Gatan Model 965 GIF Quantum ER，适用于60-300kV加速电压范围

3.11.2入口光阑: 2.5 mm、5.0 mm 、9.0 mm

3.11.3能量过滤器主机：微秒级（1s）高速静电快门和高速2k x 2k CCD探测器能量过滤系统

3.11.4包含ADF-STEM探头，ADF-STEM成像可与EELS同步

3.11.5 CCD尺寸(pixels)：2048 × 2048 (UltraScan)，像素尺寸14m，16-bit，能量过滤图像畸变：< 0.75 % 

3.11.6谱学模式包含STEMpack，单谱采集能量范围zei高达2keV

3.11.7 GIF能量过滤器系统分辨率：0.5 eV@200kV (2.5 mm入口光阑) 

3.11.8探测器动态范围：0-60000 counts/ch

3.11.9zei大读出速度：1000 spectra/s

3.11.10配备DualEELS系统，可同时记录和显示两条不同的高低能量损失谱

3.11.11 Digiscan控制四路模拟信号同步采集，提供至少两个单电压合轴

3.11.12 STEM模式下具有acquire series功能 

#3.11.13空间分辨选区EELS功能（SR-EELS）

3.12 环境条件

环境改造，电镜房间必须满足以下条件：

3.12.1 室温：15 - 23C；温度变化：0.2C/h 

3.12.2湿度：40 - 60% RH

3.12.3 噪声允许范围： 52 dB（50~200 Hz）,  47 dB（210~320 Hz）,  43 dB（330~550 Hz）,  61 dB（560~650 Hz）,  51 dB（660~750 Hz）,  59 dB（760~2,000 Hz）

3.12.4 振动允许范围(p-p值)：水平方向： ≤ 1.4 μm (0.95 Hz以内) , ≤ 1.0 μm (0.95~1.1 Hz) , ≤ 1.5 μm ( 1.1~6 Hz) , ≤ 1.7 μm (6~10 Hz), ≤ 0.7 μm (10~15 Hz), ≤ 0.3 μm (15~17 Hz), ≤ 0.1 μm (17~20 Hz) ；

垂直方向： ≤ 2.6 μm (3 Hz以内), ≤ 1.1 μm (3~10 Hz), ≤ 0.2 μm (10~17 Hz), ≤ 0.06 μm (17~20 Hz)

3.12.5 磁场允许范围：DC磁场变动(p-p值) ：水平方向30nT/min, 垂直方向 30nT/min ；AC磁场变动（实测值）：水平方向30nT, 垂直变动 30nT

注：以上打“*”号者为必须满足项；打“#”号者为关键参数项。

4. 产品配置要求：

4.1 所有设备及附件符合中国的安全与健康标准

4.2 聚光镜球差校正透射电镜配置要求如下：

4.2.1场发射透射电子显微镜基本单元完整1套

4.2.2 聚光镜球差校正器单元完整1套

4.2.3 电镜基本单元所需的高压箱、稳压电源等完整1套

4.2.4 冷却水循环系统、压缩机、SF6气体及必要的外围附属设备完整1套

4.2.5 标准单倾样品杆、标准双倾样品杆、低背底双倾样品杆（铍制样品杯）各1根

4.2.6 电镜控制计算机等完整1套 

4.2.7 其它设备正常运行维护所需的全套标准备品备件及专用工具完整1套

4.2.8 电子枪离子泵专用UPS电源    1套

4.2.9  STEM系统（全套软件和硬件）完整1套

4.3 能谱分析仪(EDS)配置要求：严格满足上述3.9技术规格要求的配置完整1套

提供必要的通讯接口及相关软硬件，完成TEM与EDS的配合

4.4 相机的配置要求：严格满足上述3.10技术规格要求的配置    完整1套

提供必要的通讯接口及相关软硬件，完成TEM与相机的配合

4.5 GIF-EELS系统的配置要求：严格满足上述3.11技术规格要求的配置完整1套

4.6 环境改造的配置要求：严格满足上述3.12技术规格要求的配置完整1套

4.7 TEM样品清洗机1台

4.8背散射或二次电子探头的配置须严格满足上述3.8.2技术规格要求    完整1套

4.9环境透射的真空系统和原位加热样品杆的配置须严格满足上述3.5.4和3.7.5技术规格要求            完整1套

5. 技术文件（包括主机和相关附件设备）

5.1全套用于安装、操作、维护技术文件

5.2仪器主体及主要附件的详细的说明书

5.3 所使用软件的所有说明书以及操作手册。

5.4相关电子版说明书以及软件的备份。