原子层沉积技术实验室

400-6699-117转1000

实验室主要研究方向:
   （1）ALD前驱体的设计、合成及其产业化；
   （2）ALD薄膜材料的制备及其应用；
   （3）ALD装备的开发及产业化。

实验室将致力于设计并合成满足ALD生长条件的金属化合物，开发制备具有优良性能薄膜材料的工艺，并应用在高性能的功能器件上。研究化合物结构与薄膜材料ALD生长的机理关系，表征薄膜材料性能，改进薄膜组分、尺度与器件性能。实验室在立足于应用基础和理论研究的同时，将结合新材料学院的发展战略，重点面向新型半导体high-k材料、锂电池材料和绿色能源材料的开发。

ALD原理图

通过SiO₂层制备更高效的染料敏化太阳能电池

Wang X et al., J. Am. Chem. Soc. (2012), 134, 9537
通过钪前驱体原子层沉积Sc₂O₃（潜在的高介电常数材料）举例