本工作得到科技部重大科学研究计划和基金委面上项目的支持。

　　

图1 不同压力下Bi2Te3拓扑绝缘体单晶的电阻－温度曲线。

　　

　　图2 （a）4.8 GPa的压力条件下Bi2Te3磁阻随温度的变化；（b）13.6 GPa的压力条件下Bi2Te3磁阻随温度的变化；（c）5.8 GPa的压力条件下交流磁化率与温度的关系，在3.2 K 表现出明显的抗磁性，插图为镶嵌在金刚石压砧内部的样品交流磁化率信号采集线圈和补偿线圈的实物图片；（c）压力调制下磁场与温度的依赖关系。