CIGS薄膜太阳能电池的太阳能电池的工作原理及特性
铜铟镓硒薄膜太阳能电池是20世纪80年代后期开发出来的新型太阳能电池，典型的多层膜结构如下：金属删、减反射膜、窗口层、过度层、光吸收层、背电极和基板。 CIS薄膜的禁带宽度为1.04ev，当掺入适当的Ga以替代部分In成为CuInSe2和CuGaSe2的固溶晶体简称CIGS，薄膜的禁带宽度可在1.04-1.7范围内调整。而理想多晶体薄膜太阳能的吸收层理想的禁带宽度为1.5，可见调整Ga和In的比例，我们可以获得理想禁带宽的吸收层。
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铜铟镓硒薄膜太阳能电池是20世纪80年代后期开发出来的新型太阳能电池，典型的多层膜结构如下：金属删、减反射膜、窗口层、过度层、光吸收层、背电极和基板。 CIS薄膜的禁带宽度为1.04ev，当掺入适当的Ga以替代部分In成为CuInSe2和CuGaSe2的固溶晶体简称CIGS，薄膜的禁带宽度可在1.04-1.7范围内调整。而理想多晶体薄膜太阳能的吸收层理想的禁带宽度为1.5，可见调整Ga和In的比例，我们可以获得理想禁带宽的吸收层。
