几张图让你轻松理解DDR的串扰（二）
相邻的两根线会有3种传输的模式，分别是下面这样的：
然后攻击信号达到接收端之后，他们的结果是这样的：
这里回答你们可能想问的两个问题：
1，为什么达到的时间会不一样？共模速度慢，差模速度快，静止排中间。因为在共模的影响下，两线之间的容性最弱；在差模的影响下，两线的容性最强，这时就好像差分线一样，两线互为参考，因此传输延时最快。
2，为什么电平幅度不一样？同样，共模的时候两线电平是同向的，互相补充，幅度偏高；差模的时候两线的电平反向，互相抵消，幅度降低。
所以当这两根线跑不同的随机码型时，你看到的其中一根线的信号是下面这样的就不奇怪了。
再回到我们上面的一组DDR数据信号，对于他们而言就更复杂了，一组8根DQ加上DM信号都有着不同的码型，互相之间的串扰影响就导致了他们的眼图呈现出不同的延时和电平振荡了。其实理论可能很复杂，但是他的表现形式就是这样的。总之，对于像DDR这种并行信号的串扰，还是在时域的角度上去分析会更直观和有说服力。当然难度也摆在这里，你必须把整组信号乃至整个通道的信号一起分析，才能得到串扰影响的最大化。
所以呢，我们做了5mil甚至更小的等长和上面仿真波形的50ps来比，真的是很微不足道。实际上串扰在DDR模块里的确会有更为严重的影响，试想一下，我们在高速串行信号里面5mV的串扰都觉得非常大了，在DDR模块里居然能有上百mV。当然两者还是有很大差异的，高速串行信号的眼图裕量目前和DDR相比还是小很多，一般只有100mV以内，我们目前的DDR系统的高低电平的裕量有几百mV，而且DDR的速率也决定了走线的损耗基本对它没太大的影响。
所以我们对100mV的串扰结果还是可以接受，而且从整个波形来看，裕量也还是很大。但是随着DDR的电平越来越低，相应的裕量肯定也会越来越小，到那时候串扰可能就会影响很严重了。
