实验室分析方法--影响化学位移的因素
影响电子云密度的因素即影响化学位移的因素。主要有电性效应(诱导效应和共轭效应),各向异性效应(在分子内发生),快速质子效应,溶剂效应(分子之间起作用),氢键(分子内和分子间都起作用)
诱导效应:电负性强的取代基可以使临近质子的电子云密度减少,即屏蔽效应减小。所以,化学位移值增加,共振峰向低场移动
共轭效应:共轭取代基可使与共轭结构中的价电子分布发生改变,从而引起化学位移的变化。
各向异性效应:在外磁场的影响下,某些分子的化学键电子环流是各向异性的(不对称的),因此,产生的感应磁场也是各向异性的。这种各向异性可以引起临近质子区域外加磁场的增强或减弱,增强外磁场的各向异性将引起质子在较低场产生共振峰(去屏蔽效应),减弱外磁场的各向异性效应,将引起质子在较高场产生共振峰(屏蔽效应)氢键效应:与没有氢键形成的质子相比,氢键所受的屏蔽较小,因而,在低场发生共振,化学位移值较大质子快速反应:连接在杂原子(如O,N,S)上的质子是活性的。这种活性质子常常发生分子间质子交换或溶剂质子交换反应。
溶剂的影响:高分辨率核磁共振光谱都是在溶液条件下进行的,不同溶剂与化合物的相互作用也不同。因此,若同一化合物采用不同的溶剂,其化学位移可能不完全相同。这种由溶剂不同而使化学位移发生改变的现象称为溶剂效应。
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