后FinFET时代的技术演进（二）
需要微缩助推器
在6T和5T的低单元高度下，向Nanosheet器件的迁移变得最佳，因为在这种情况下，fin的减少会降低传统基于FinFET的单元中的驱动电流。
但是，如果不引入结构化微缩助推器（如埋入式电源轨和环绕式接触），就无法将单元高度从6T减小到5T。
电源轨为芯片的不同组件提供电源，并且一般由BEOL中Mint和M1层提供。但是，它们在那里占据了很大的空间。在嵌入式电源轨结构中，电源轨埋在芯片的前段，以帮助释放互连的布线资源。此外，它们为采用节距微缩而增加BEOL电阻的技术提供了较低的电阻局部电流分布。BEOL没有电源轨后，可以将标准单元的高度从6T进一步降低到5T。
下一步：缩小p和n之间的间距
随着走向更小的轨道高度的旅程的继续，单元高度的进一步减小将要求标准单元内nFET和pFET器件之间的间距更小。但是，对于FinFET和Nanosheet而言，工艺限制了这些n和p器件之间的间距。例如，在FinFET架构中，通常在n和p之间需要2个dummy fin的间距，这最多消耗总可用空间的40－50％。
为了扩大这些器件的可微缩性，IMEC最近提出了一种创新的架构，称为Forksheet器件。Forksheet可以被认为是Nanosheet的自然延伸。
与Nanosheet相比，现在沟道由叉形栅极结构控制，这是通过在栅极图案化之前在p和nMOS器件之间引入“介电墙”来实现的。该墙将p栅沟槽与n栅沟槽物理隔离，从而允许更紧密的n到p间距。
从FinFET到Nanosheet再到Forksheet的自然演变。
用于制造Forksheet的工艺流程与用于制造Nanosheet的工艺流程相似，仅增加一些额外的工艺步骤。n和p之间的介电隔离还具有一些工艺优势，例如填充功函数金属的工艺更简化。在此基础上，由于大幅减少了n到p的间距，预计该Forksheet具有更佳的面积和性能的可微缩性。
Forksheet工艺流程中的关键步骤，即有源区形成后“介电墙”的形成步骤。
