聚焦离子束在ITO表面缺陷的应用
1. 引言
失效样品为手机显示屏，具体失效位置在前端IC位置，失效现象是ITO出现出现腐蚀导致显示异常，如下图所示，需具体分析失效的原因。
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图1.ITO表面缺陷SEM观察图
2. 试验与结果
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| 图2.失效位置截面观察图 | |
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| 图3.正常位置截面观察图 | |
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| 图4.失效位置EDS测试谱图图 | |
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| 图5.正常位置EDS测试谱图图 | |
| 测试 位置 | 元素含量（wt%） | |||||||||||
| C | O | N | Na | Mg | Al | Si | K | Ca | Mo | In | Total | |
| 谱图1 | / | 37.61 | / | / | 1.05 | 18.86 | 27.54 | 1.23 | 5.04 | 8.68 | / | 100.0 |
| 谱图2 | / | 34.04 | / | / | 1.01 | 18.59 | 29.17 | / | 5.79 | 7.59 | 3.80 | 100.0 |
| 谱图3 | / | 16.75 | / | / | / | 13.20 | 12.97 | / | / | 52.28 | 3.80 | 100.0 |
3. 结论
根据测试结果，对比OK和正常位置的成分，推断可能是ITO位置有Mg、K、Ga的盐类或碱污染，在使用过程中环境中的水分子在浓度梯度作用下渗透进ITO位置，形成导电溶液，在通电情况下形成电化学腐蚀造成的。
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