在实现了硅基MgZnO材料性能的器件验证基础上，课题组进一步开展了深紫外探测器的结构设计与性能研究工作，并根据异质结能带结构分析了p-n异质结型探测器的工作原理，探讨了结型器件中内建电场和界面态对探测器光响应性能的影响，该成果已刊登在6月27日的《应用物理快报》上【Appl. Phys. Lett. 98, 263501 (2011)】。三年来，研究组在MgZnO单晶薄膜的控制生长、器件结构设计和器件工艺等关键环节上已申请7项国家发明ZL（ZL申请号：201110119774.2，201110156368.3，201110010442.0，201010191983.3，201010219623.X，200810224529.6，ZL200810104269.9），形成了较为完整的核心技术体系。

　　上述工作得到了科技部、国家自然科学基金委和中国科学院的项目资助。其中界面研究工作是和先进材料与结构分析实验室的谷林研究员、禹日成研究员、张庆华博士生合作完成，器件研制工作是与微加工实验室的顾长志研究组合作完成。