微电子所发明ZL荣获“中国ZL优秀奖”
近日，国家知识产权局印发《关于第十七届中国ZL奖授奖的决定》（国知发管字〔2015〕67号），中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑的中国发明ZL“半导体器件及其制造方法”（ZL号：ZL 200910235339.9）荣获“中国ZL优秀奖”。
“半导体器件及其制造方法”提出了一种新型MOSFET器件结构，此结构既具有二维体硅MOSFET、FD-SOI MOSFET和三维FinFET的优点，又避免了寄生电容和寄生电阻大的缺点。以获奖ZL为基础，发明人朱慧珑在逻辑和存储器件、应变工程、背栅工程和沟道工程等技术领域申请了ZL24项，其中已授权中国发明ZL9项，已授权外国ZL10项，形成了较为系统的ZL组合。
近年来，微电子所在国家科技重大专项02专项的支持下，为满足工业界的需求，对FinFET技术进行了系统的ZL布局。根据国家科学图书馆统计数据，微电子所在FinFET领域ZL申请数位列全球第九，引用数在全球和中国分别位列第八和第一，朱慧珑本人在此领域的ZL申请数位列全球第三。与获奖ZL相应的外国ZL已授权并获得大量国际他引，占微电子所FinFETZL申请引用数的31%。
“中国ZL奖”是我国ZL领域唯一的专门对授予ZL权的发明创造给予奖励的政府部门奖，得到联合国世界知识产权组织（WIPO）的认可，在国际上具有一定的影响。
推荐
-
焦点事件
-
焦点事件
