解析：半导体nm制程指的是哪里？
半导体制程指的是MOS管实际制造结束时的栅级引线宽度，也就是栅级多晶硅的宽度。
当然，实际中源极和漏极会有少量延伸到栅级下面，所以源极和漏极的实际分隔距离小于栅级宽度。这个有效分开距离被称为有效沟道长度，对晶体管而言是最重要的参数。不过这个参数很难测量，所以一般直接用栅级引线宽度来比较不同的工艺。
这是一个反相器的电路图。
PMOS接Vdd的一端是源端S(p)，接输出的一端是D(p)，接Vin的是栅端G(p)。
NMOS接Vss的一端是源端S(n)，接输出的一端是D(s)，接Vin的是栅端G(s)。
下面这两张图是CMOS反相器的版图，即俯视图。一张没有做标记，一张做了标记。电路图是做设计时的一种抽象的符号，而版图则是在工厂生产电路的时候，需要的投影模板的形状，所以它必须是俯视图。集成电路的生产是在硅片上不断用各种形状的掩膜版遮挡住不要被光线曝光的部分，来进行生产的（具体细节找本工艺书或者集成电路的书都会有粗略的介绍）。
做标记的图中，上边是PMOS，下边是NMOS，连接两个MOS管的是多晶硅，数字电路一般硅的长度L是固定的，取工艺最小值，比如你选择的工业是28nm，那么L=28nm，而Wp和Wn则是设计标准单元的工程师可以调节的参数，用来追求某些指标，比如面积要小，驱动能力要强，延迟要小等等。那么这个L就是指PMOS管和NMOS管中，有源区之间的距离，即源区（S）和漏区(D)之间的距离。具体在下文中还有介绍。
下面两张图是p衬底n阱工艺的反相器的截面图和剖面图，比其版图的俯视图而言，更立体化形象化。
题主你的这个图是一个PMOS管的剖面图，L就是指两个有源区之间的距离（源极和漏极之间的距离），当栅（图中的门级）通低电平时，会在两个有源区之间的栅的下方形成反型层沟道，这个L就是指的沟道的长度，而源漏的宽度决定了栅下面沟道的宽度，虽然往往管子的宽度比长度在数值上要大，这违背了我们中学的长方形的长与宽的概念，但这里的长指的是沟道的长度，即工艺最小能达到的尺寸。
