真空电子器件制造相关工艺简介
玻璃封接工艺
玻璃之间和玻璃与金属之间的熔封是常用的工艺之一，多已实现自动化操作。利用这种技术制成电极引线或芯柱，并将管壳与芯柱封接在一起。
铟封工艺
两种膨胀系数相差很大的玻璃或玻璃与各种晶体、玻璃与金属间的真空密封，可用高纯铟作焊料冷压而成。这种工艺常用于摄像管窗口和管壳间的封接。它适合于不能承受高温的零部件的真空密封，且铟能作为电极引出线使用。
陶瓷-金属封接工艺
为实现陶瓷绝缘件和金属件的封接以构成部件，广泛采用烧结金属粉末法和活性金属法两种工艺。前者是将钼、锰等金属粉末（有时添加少量氧化物作为活化剂）涂敷在待封接的陶瓷表面，再在氢炉中在 900～1600范围内的某一温度烧结成金属化层，经镀镍后用焊料与金属加以封接。活性金属法则是利用钛、锆等活性金属和焊料或含活性金属的合金焊料，在真空炉中升温至略高于焊料熔点的温度，形成液相活性合金来润湿陶瓷和金属，完成封接。除这两种工艺外，还有氧化物焊料法、扩散封接以及利用蒸发或溅射金属化来进行封接等工艺。图2是一些常用的陶瓷-金属封接结构。
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技术原理
