HFSS端口应用详解：Wave Port 、Lumped Port（三）
4）替代RLC无源器件：
3.Lumped Port注意：
1）Lumped Port所在端面的长和宽需要远小于信号波长，一般以1/10波长为界；
2）因为Lumped Port端口的两侧默认都是Perfect H边界，因此两个Lumped Port的边缘不能相接；
3）Lumped Port的两端必须和Perfect E边界或金属表面相接触，否则信号无法注入；
4）Lumped Port只能用于传输TEM模式或准TEM模式；
5）因为真实的测试环境中回流通路是存在的，因此2个Lumped Port端口之间必须要形成回流通路，如下图：
6）为了确保多端口S参数相位的一致性，Lumped Port积分线的定义方向必须一致；
以上是常用的一些Lumped Port的使用规则。下周我们将对Lumped Port和Wave Port做一个对比总结，有兴趣的同学请继续关注。
附上一期Wave Port当内部端口使用问题：
Wave Port当内部端口使用的唯一情况就是在同轴线激励的对称振子天线设计。因为Wave Port直接定义在同轴线的截面上时，由于场的双向存在，HFSS软件会报错，导致仿真无法继续。此时我们需要在Wave Port所在位置额外增加一个Perfect E物体，通常称为“Coductive Cap”。利用此物体将端口面完全覆盖，因为HFSS对Perfect E物体的内部是不求解场的，这样可以保证场的单向存在。如下图：
三、对比总结
上两周我们已经介绍了一下Lumped Port和Wave Port的使用，本周我们针对前两周的内容做个对比和小结。
1.Lumped Port是内部端口，Wave Port是外部端口：
Lumped Port相当于用测试系统如探针给传输线加激励，Wave Port相当于用传输线给传输线加激励；因此Lumped Port需要指定端口阻抗，Wave Port自动求解端口阻抗。此外，Wave Port加上“conductive cap”可以当内部端口用。
2.Lumped Port的激励是电流和电压，Wave Port的激励是电磁波：
Lumped Port只能用于TEM模式或准TEM模式，不能进行Deembeding；Wave Port没有这些限制。
3.Lumped Port和Wave Port的外表面的边界定义有差别：
Lumped Port的两侧面区域为Profect H，其他面为Profect E；Wave Port的所有外表面均为Profect E。
4.Lumped Port和Wave Port的尺寸要求有差异：
（1）Wave port所在的截面一定要均匀。Wave Port的尺寸要求如下：
（2）Lumped Port的宽度要与传输线等宽，长度小于λ/100，Lumped Port的尺寸如下图：
上图中左边的Lumped Port太细，本身会引入比较大的寄生RL效应，并且此时的电压馈入点没有覆盖整个走线。
5.Lumped Port可以模拟RLC的寄生效应，Wave Port不行：
Lumped Port模拟RLC的寄生效应的情况如下图：
6.Lumped Port必须定义积分线，Wave Port只有特定情况才需要：
Wave Port需要定义积分线的情况如下图:
以上是Wave Port和Lumped port的一些主要区别，其他还有一些小的方面就不一一列举了，大家感兴趣的可以自己去查阅相关资料。
