更新时间： 2023-12-14 14:45:23
我新一代雷达核心部件材料实现国产化 科技日报济南7月6日电 （通讯员辛鹏波 记者王延斌）近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。 碳化硅基微
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基
中电科二所在碳化硅激光剥离技术方面取得进展 石墨烯高性能光学器件研究获进展 实现非局部光电探测 中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶 我建成亚洲最大宽禁带碳化硅基地 疫情反复 需求低迷，半导体芯片企业如何逆境求生？ “实验室”企业家宗艳民 晶能光电推进硅衬底LED产业化 浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶 我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 表面轮廓仪的典型运用及保养维护 采用光学轮廓仪有哪些优势? 山东省科技重大专项助推新材料产业实现集群式发展 虚惊一场！美国加征关税排除36类仪器设备