KS C IEC 60747-7-1-2021
半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管的空白详细规范

Semiconductor devices-Discrete devices-Part 7:Bipolar transistors-Section One:Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 KS C IEC 60747-7-1-2021 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
KS C IEC 60747-7-1-2021
发布
2021年
发布单位
韩国科技标准局
当前最新
KS C IEC 60747-7-1-2021
 
 

KS C IEC 60747-7-1-2021相似标准


推荐

半导体器件有哪些分类

现在被称作半导体器件种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。此外,IC除了在制造技术上分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用,但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类方法。此外,还有按照其所处理信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类方法。...

可控硅概念

可控硅器件与双极型晶体管有密切关系,二者传导过程皆牵涉到电子空穴,但可控硅开关机制双极晶体管是不同,且因为器件结构不同,可控硅器件有较宽广范围电流、电压控制能力。现今可控硅器件额定电流可以从几毫安到5000A以上,额定电压可以超过10000V。下面将讨论基本可控硅器件工作原理,然后给出一些高功率高频可控硅器件。...

可控硅器件概念

可控硅器件与双极型晶体管有密切关系,二者传导过程皆牵涉到电子空穴,但可控硅开关机制双极晶体管是不同,且因为器件结构不同,可控硅器件有较宽广范围电流、电压控制能力。现今可控硅器件额定电流可以从几毫安到5000A以上,额定电压可以超过10000V。下面将讨论基本可控硅器件工作原理,然后给出一些高功率高频可控硅器件。...

扩大功率半导体产能,全球再添一座12英寸晶圆厂

当第一阶段达到满负荷时,旗下功率半导体产能将是2021财年2.5倍( 200300毫米晶圆制造能力总和,相当于200毫米)。  功率器件是管理降低各种电子设备功耗以及实现碳中和社会重要组件。当前汽车电气化工业设备自动化需求正在扩大,对低压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)IGBT(绝缘栅双极晶体管) 等器件需求非常旺盛。  ...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号