Si 通常用于数字 / 模拟控制或低波段功率芯片的基础材料 , GaAs 常用于 Ka 波段以下微波射频芯片基础材料 .SiC, GaN 和金刚石 (diamond) 是第 3 代半导体材料 , 可以具有宽禁带 (WBG) 特点 。...
SiC功率模块封装技术及展望近几十年来,以新发展起来的第 3 代宽禁带功率半导体材料碳化硅(SiC)为基础的功率半导体器件,凭借其优异的性能备受人们关注。...
4.2.1、第 3 代半导体集成电路技术 在微波单片集成电路技术中 , 以氮化镓 (GaN) 为代表的第 3 代半导体技术 , 因其宽禁带特性 , 具有高功率密度、高功率附加效率、高增益、大带宽和小尺寸 , 及较高的可靠性和工作温度 , 已用于相控阵雷达 , 将会对天线阵列中的射频前端产生革命性的影响 ....
steam 热流pyrogen 热原(质)pyrolytic热解pyrophoric 自燃的Qquad flatpack(QFP) 方型管壳封装quadrupole mass analyzer(QMA) 四极质量分析仪quality measure 质量测量quarz 石英quarz tube 石英管quarz wafer boat 石英舟queue time 排队时间Rradiation damage...
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