总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。*免责声明:本文由作者原创。...
采用非破坏性的测量方法,可以测量几乎所有的半导体器件的热学性能,包括:1、分离或集成的双极型晶体管、常见的三极管、二极管和半导体闸流管、以及大功率IGBT、MOSFET等器件;2、大功率LED:MicReD专为LED产业开发的选配件TERALED可以实现LED器件的光热一体化测量;T3ster还可以测量整个LED灯具的热阻;3、任何复杂的IC器件(利用其内置的基板二极管);4、具有单独加热器和温度传感器的热测试芯片...
1 短路保护的工作原理图1(a)所示为工作在PWM整流状态的H型桥式PWM变换电路(此图为正弦波正半波输入下的等效电路,上半桥的两只IGBT未画出),图1(b)为下半桥两只大功率器件的驱动信号和相关的器件波形。现以正半波工作过程为例进行分析(对于三相PWM电路,在整流、逆变工作状态或单相DC/DC工作状态下,PWM电路的分析过程及结论基本类似)。...
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