研究发现,在低掺杂浓度条件下,掺杂薄膜的功函数依赖于原始电极的功函数,受制于给体材料的ICT曲线与界面双极化电势差的共同作用;在高掺杂浓度下,掺杂薄膜的功函数遵循经典的耗尽层模型,功函数保持恒定。该工作实现了N型掺杂调控电极界面电子结构更具规律性调控。...
热游离方式电子枪有钨(W)灯丝及(LaB6)灯丝两种,它是利用高温使电子具有足够的能量去克服电子枪材料的功函数(work function)能障而逃离。对发射电流密度有重大影响的变量是温度和功函数,但因操作电子枪时均希望能以最低的温度来操作,以减少材料的挥发,所以在操作温度不提高的状况下,就需采用低功函数的材料来提高发射电流密度。...
热游离方式电子枪有钨(W)灯丝及六硼化镧(LaB6)灯丝两种,它是利用高温使电子具有足够的能量去克服电子枪材料的功函数(work function)能障而逃离。对发射电流密度有重大影响的变量是温度和功函数,但因操作电子枪时均希望能以最低的温度来操作,以减少材料的挥发,所以在操作温度不提高的状况下,就需采用低功函数的材料来提高发射电流密度。 7....
点击上方 “材料人” 即可订阅哦!【引言】 在制作高性能半导体器件的过程中,需要通过电极和半导体层间良好的欧姆接触注入最大的电流密度。要得到欧姆接触,就要求电极分别通过空穴和电子的注入得到高和低的功函数,这里所说的功函数,就是将电子从费米能级转移到真空环境中所需的最小能量。然而,要得到具有足够高或低功函数的导电层是极具挑战的,尤其是对基于溶液法的半导体器件。...
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