研究人员通过多种变温测试和分析明确了低温下钙钛矿太阳能电池开路电压和光电效率提升主要是来自于降温过程中钙钛矿薄膜本征缺陷的不断消除。更重要的是,当运行温度低于200 K后,在钙钛矿器件界面的光生载流子传输开始受到限制,并逐渐的形成势垒,导致了器件填充因子和光电效率的不断下降,同时也解释了迟滞现象的加剧。图1....
稀土基新型电子相变半导体与敏感电阻器件围绕国家战略,从电子材料角度变革现有突变式敏感电阻元器件技术;发展稀土镍基氧化物等新型电子相变材料的非真空制备技术并结合理论计算优化其制备工艺;发展其金属绝缘体相变温度在宽温区范围的精准设计方法;研究其高压诱导电子相变特性与机理;研究其氢致电子相变特性、机理、与潜在器件应用; 制作稀土基突变式热敏、压力敏感电阻原型器件。...
1纳米仅为1根头发丝直径的六万分之一,如何检测薄膜的热特性成为国际难题,过去需要先把薄膜沉积得很厚,再把待测薄膜材料刮下来,形成一定质量的粉末后,才能进行破坏性检测。 经多年技术攻坚,华中科技大学“长江学者”缪向水教授团队研发出我国首台光功率热分析仪,检测薄膜厚度可至5纳米。据介绍,光功率热分析仪是将激光照射到纳米薄膜材料表面上,通过反射光功率检测薄膜的相变温度点和热膨胀系数。 ...
相变材料在激发信号的作用下产生相变,之后作用于信号光,由于相变前后相变材料的消光系数和折射率均会发生变化,因此相变材料与信号光的相互作用也会发生变化,进而影响信号光在波导中的传输特性。首先,选取GST材料作为相变材料,摸索了相变材料GST的相变特性。以石英片为衬底,通过溅射方法制备GST材料,溅射功率为50W,溅射厚度为20 nm,为防止GST氧化,后续溅射了20nm厚的ITO作为保护层。...
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