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随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain - LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子注入效应。如图1.14（b）所示，是利用LDD结构的MOS管结构图。...
面对上述挑战，合作团队提出了轨道杂化增强的新策略，在单层MoS2晶体管中实现了目前最低的接触电阻42Ω·μm，首次低于硅基器件并接近理论量子极限。团队首先通过第一性原理计算，在半金属Sb中发现了一个特殊的(0112)面，具有较强的z方向原子轨道分布，即使存在范德华间隙仍然与MoS2具有较强的原子轨道重叠，导致金属-半导体能带杂化，大幅提升电荷转移和载流子注入效率。...
另一方面，当TENG产生的静电场与电容性器件耦合时 (例如，场效应晶体管)，半导体沟道中载流子的传输特性可以被摩擦电势有效调制，也就是摩擦电子学晶体管（tribotronic transistor）。为了开发更高性能主动式摩擦电子学晶体管，针对TENG与半导体器件耦合的基础物性研究和相关工艺工程迫切地需要更深入的探索。...
当还原型气体吸附到n型半导体上，氧化型气体吸附到p型半导体上时，则载流子增多，半导体阻值下降。 非电阻型气体传感器也是半导体气体传感器之一。它是利用mos二极管的电容-电压特性的变化以及mos场效应晶体管的阈值电压变化等特性而制成的气体传感器。由于这类传感器的制造工艺成熟，便于器件集成化，因而其性能稳定价格便宜。利用特定材料还可以使传感器对某些气体特别敏感。...
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