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随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米,热载流子注入效应变得越来越严重,为了改善热载流子注入效应,半导体业界通过利用LDD (Lightly Doped Drain - LDD)结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子注入效应。如图1.14(b)所示,是利用LDD结构的MOS管结构图。...
大意为:集成电路上的元器件(例如晶体管)数目,每隔月18个月至两年便会增加一倍,性能也将提升一倍。这一定律是Moore对半导体工业发展的观察、统计和预测,并不是物理学或者自然定律。https://en.wikipedia.org/wiki/Moore''s_lawhttp://baike.baidu.com/view/17904.htm2....
【引言】 二维层状材料(例如石墨烯和过渡金属半导体硫化物)因其组成、厚度、几何外形的不同表现出了独特的电子学性质。近年来对于垂直隧穿晶体管和垂直场效应晶体管的研究表明,通过结合不同的材料形成范德瓦尔斯异质结可以得到具有独特功能的新材料。石墨烯-过渡金属半导体硫化物(TMDs)-石墨烯的组合就可以制成独特的光电二极管和光探测器。...
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