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经过全球众多科学家的不懈研究,人们对 ZnO 半导体的光、电、磁及压电等特性有了深刻的理解,在紫外发光器件、紫外 激光器件、紫外光电探测器件、压电器件、太阳能电池等领域的研究不断取得重要进展,特别是ZnO基透明导电膜、薄膜晶体管已经在光电子领域大规模工业应用,在环境、生物、医学领域也呈现了巨大的应用前景。...
国际电子联合会半导体型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料。...
GB/T36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范GB/T36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T36361-2018 LED加速寿命试验方法GB/T36362-2018 LED应用产品可靠性试验的点估计和区间估计...
目前科学家们正在解决光源的问题,以便在硅材料上做到光电集成。5、半导体超晶格和量子线、量子点器件半导体超晶格、量子线、量子点是低维结构,它们具有一些特殊的物理性质,如量子限制效应和电子运动的二维或一维特性,可以制成一些性能优异的器件,如:激光器、高电子迁移率器件、光双稳器件、共振隧穿器件等。...
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