将高纯多晶硅拉制成单晶硅主要有两个工艺,直拉法(CZ法)和区熔法(FZ),这个过程涉及的设备是单晶炉。一、直拉法原理通过在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将坩埚中的多晶硅熔化成液态硅(熔体),再用单晶硅的硅种与液态硅表面接触,一边旋转一边缓慢向上拉起,随着晶种在直拉过程中离开熔体,熔体上的液体会因为表面张力而提高,晶种上的界面散发热量并向下朝着熔体的方向凝固。...
主要有两种方法:直拉法(Cz法)、区熔法(FZ法);1)直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好,直径和长度都可以很大,生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此,一些化学性活泼或熔点极高的材料,由于没有合适的坩埚,而不能用此法制备单晶体,而要改用区熔法晶体生长或其他方法。...
单晶炉简介: 单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。 ...
本文是半导体设备专题栏目的第一篇文章,主要介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制备硅单晶体的设备。将多晶硅原料放在炉体的石英坩埚内进行高温熔化(1450℃以上),在低真空度和氩气保护下,通过紫晶插入多晶硅熔体后,在紫晶周围形成过冷态并进行有规律生长,形成一根单晶棒体。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号