S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。...
第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。...
在第二次世界大战期间,不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面,也取得了不少成绩,这就为晶体管的发明奠定了基础。 第二次世界大战结束后,为了克服电子管的局限性,贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。肖克莱等人探讨用半导体材料制作放大器件的可能性,决定集中研究锗、硅等半导体材料。 1945年秋天,贝尔实验室正式成立了以肖克莱为首的半导体研究小组,成员有布拉顿、巴丁等人。...
一、功率半导体类型及区别功率半导体根据器件集成度不同,功率半导体可以分为功率 IC 和功率分立器件两大类。功率分立器件包括二极管、晶体管、晶闸管三大类别,其中晶体管是分立器件中市场份额最大的种类。...
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