A: n型和p型器件截面图和栅堆垛层截面图;B-C: p型和n型碳管器件的转移曲线以及与硅基CMOS器件(Intel, 14 nm, 22 nm)的对比。D:碳管器件的本征门延时与14 nm硅基CMOS对比。课题组进一步探索5纳米栅长(对应3纳米技术节点)的碳纳米管晶体管。...
13.2CMOS逻辑门电路1.与非门电路 下图是2输入端CMOS与非门电路,其中包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。...
顺序集成CFET的集成特点是可以实现上下器件层的不同组合,目前见到报道的特殊组合有全耗尽型绝缘体上硅(Fully Depleted-Silicon-On-Insulator, FDSOI)MOS在FDSOI MOS上、SOI FinFET在体硅FinFET上、pGe纳米片在n型硅FinFET上、pSi在nGaN上等。...
一、功率半导体类型及区别功率半导体根据器件集成度不同,功率半导体可以分为功率 IC 和功率分立器件两大类。功率分立器件包括二极管、晶体管、晶闸管三大类别,其中晶体管是分立器件中市场份额最大的种类。...
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