SJ 20744-1999
半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则

General rule of infrared absorption spectral analysis for the impurity concentration in semiconductor materials


SJ 20744-1999 发布历史

本标准规定了半导体材料中杂质含量的红外吸收分析方法的术语、基本原理、仪器设备、样品制备、测量条件、测量步骤和测量结果的计算。 本标准适用于在红外光谱区为透明的并在该区域产生杂质吸收带的任何半导体单晶材料红外分析方法。

SJ 20744-1999由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 。

SJ 20744-1999 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

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SJ 20744-1999



标准号
SJ 20744-1999
发布日期
实施日期
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-SJ
适用范围
本标准规定了半导体材料中杂质含量的红外吸收分析方法的术语、基本原理、仪器设备、样品制备、测量条件、测量步骤和测量结果的计算。 本标准适用于在红外光谱区为透明的并在该区域产生杂质吸收带的任何半导体单晶材料红外分析方法。

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