SJ/T 10311-1992
低压化学气相淀积设备通用技术条件

Generic specification of low Pressure Chemical vapor Deposition system

SJT10311-1992, SJ10311-1992


标准号
SJ/T 10311-1992
别名
SJT10311-1992, SJ10311-1992
发布
1992年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 10311-1992
 
 
适用范围
本标准适用于卧式热壁型低压化学气相淀积设备的设计、制造及工艺应用。其它形式的LPCVD设备的研制亦应参照使用。

SJ/T 10311-1992相似标准


推荐

简述化学沉积法优缺点

  化学沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。学法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气掺杂的过程精确控制。  ...

中科院微电子研究所采购6700万元仪器设备

具体内容如下:   采购人名称:中国科学院微电子研究所   采购代理机构全称:东方国际招标有限责任公司   招标编号:OITC-G10032233   采购项目名称:中国科学院微电子研究所2010年仪器设备采购项目(第十一批)   第5包 等离子氮化系统、等离子化学增强、硅化物热退火系统、接触与互连溅射台、快速热退火系统、钨化学沉积系统   成交金额:983万美元   成交供应商名称...

微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破

石墨烯器件测试结果  (三)化学(CVD)石墨烯器件  在铜箔上采用化学(CVD)方法制备的大面积石墨烯材料上,实现了晶圆级石墨烯电子器件的规模化制备。测试数据显示,器件整体性能在500MHz以上,最高截止频率达到1.1GHz(图3所示),器件成品率达到80%以上,成为国内首个公开报道的在CVD方法生长石墨烯上制备出截止频率达到GHz以上的团队。  图3....

中国科学院半导体研究所采购科研仪器设备

分析测试百科网讯 近日,中国科学院半导体研究所采购厚氮化硅感应耦合等离子体化学沉积台、硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机,预算金额903万元,文件详情如下:设备用途:1.厚氮化硅感应耦合等离子体化学沉积台用于光波导器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜,适用于波导器件中包层薄膜的沉积。...


SJ/T 10311-1992 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号