SJ/T 10482-1994
半导体中深能级的瞬态电容.测试方法

Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques

SJ/T 10482-1994 发布历史

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。 本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。

SJ/T 10482-1994由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1994-04-11，并于 1994-10-01 实施。

SJ/T 10482-1994 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

SJ/T 10482-1994的历代版本如下：

• 1994年04月11日 SJ/T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法

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标准号

SJ/T 10482-1994

发布日期

1994年04月11日

实施日期

1994年10月01日

废止日期

无

中国标准分类号

H80

国际标准分类号

29.045

发布单位

CN-SJ

适用范围

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。 本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。

SJ/T 10482-1994 中可能用到的仪器设备