SJ/T 2217-1982
硅光敏三极管

Silicon phototransistors

SJT2217-1982, SJ2217-1982

2015-04

SJ/T 2217-1982封面图

预览 SJ/T 2217-1982前三页
标准号
SJ/T 2217-1982
别名
SJT2217-1982, SJ2217-1982
发布
1982年
发布单位
行业标准-电子
替代标准
SJ/T 2217-2014
当前最新
SJ/T 2217-2014
 
 

SJ/T 2217-1982相似标准

EJ/T 504-1990 三十万千瓦压水堆核电厂 安全级电子元器件老化筛选和降额使用规定 QJ 2774.4-1995 物资分类与代码 电子产品、仪器仪表和计量器具部分 SJ 50033.40-1994 GT11型半导体硅NPN光敏晶体管详细规范 SJ/T 11167-1998 敏感元器件及传感器型号命名方法 SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法

推荐

测量光电流电源电流为何不计

1、判断光敏三极管C、E极性，方法是用万用表欧姆20M测试档，测得管阻小的时候红表棒端触脚为C极，黑表棒为E极。1、暗电流测试：稳压电源用±12V，调整负载电阻RL阻值，使光敏器件模板被遮光罩盖住时微安表显示有电流，这即是光敏三极管的暗电流，或是测得负载电阻RL上的压降V暗，暗电流LCEO=V暗/RL。（如是硅光敏三极管，则暗电流可能要小于10-9A，一般不易测出。...

SJ/T 2217-1982 中可能用到的仪器设备

光谱部件及外设


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号