62047-16-2015
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (Edition 1.0)

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 16: Méthodes d'essai pour déterminer les contraintes résiduelles des films de MEMS - Méthodes de la courbure de la plaquette et de déviation de poutre en porte-à-faux (Edition 1.0

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标准号

62047-16-2015

发布日期

2015年03月01日

实施日期

2015年03月07日

废止日期

无

中国标准分类号

/

国际标准分类号

/

发布单位

IEC - International Electrotechnical Commission

引用标准

26

适用范围

This part of IEC 62047 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0@01 ?? to 10 ?? in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods. The films should be deposited onto a substrate of known mechanical properties of Young's modulus and Poisson's ratio. These methods are used to determine the residual stresses within thin films deposited on substrate [1]1. 1 Numbers in square brackets refer to the Bibliography.